[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
| 申请号: | 201721540228.5 | 申请日: | 2017-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN207517281U | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
| 发明(设计)人: | 程鸿飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G09F9/00 | 分类号: | G09F9/00;G02F1/1345 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列基板 信号线 显示区 非显示区 显示装置 引线本体 块状体 本实用新型 信号线连接 正方形区域 电子器件 静电冲击 边长 | ||
1.一种阵列基板,包括显示区和非显示区,其特征在于,所述阵列基板包括:位于所述显示区的信号线,以及位于所述非显示区、且与所述信号线连接的信号线引线;
所述信号线引线包括引线本体以及与所述引线本体连接的第一块状体,所述第一块状体的面积大于或等于以5倍的所述信号线的宽度为边长的正方形的面积。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述信号线包括栅线,所述信号线引线包括栅线引线。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述第一块状体的沿数据线延伸方向上的尺寸小于相邻两个所述栅线之间的距离,且大于或等于相邻两个所述栅线之间距离的1/3。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述引线本体与所述第一块状体为一体结构。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述引线本体的延伸方向与所述信号线的延伸方向相同,且所述引线本体包括独立设置的第一引线本体和第二引线本体;
所述第一引线本体位于所述第二引线本体靠近所述显示区的一侧,所述第一块状体与所述第一引线本体远离所述显示区的一端连接,且所述第一引线本体与所述信号线为一体结构;
所述第一引线本体和所述第二引线本体通过连接部连接。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括与所述第一块状体连接的第二块状体,且所述第二块状体与所述第一块状体位于不同层。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,
所述信号线引线包括栅线引线;
所述第一块状体与所述栅线同层同材料,所述第二块状体与数据线同层同材料;
或者,所述第一块状体与所述栅线同层同材料,所述第二块状体与所述阵列基板中的像素电极同层同材料;
或者,所述第二块状体为两个,所述第一块状体与所述栅线同层同材料,一个所述第二块状体与数据线同层同材料,另一个所述第二块状体与所述阵列基板中的像素电极同层同材料。
8.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第二块状体在衬底基板上的投影覆盖所述第一块状体在所述衬底基板上的投影。
9.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,在所述第二块状体为多个的情况下,所述多个第二块状体之间连接。
10.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括与所述第一块状体连接的第二块状体,且所述第二块状体与所述第一块状体位于不同层;
所述第二块状体包括所述连接部。
11.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括静电释放线,且所述信号线引线与所述静电释放线通过静电保护单元连接。
12.根据权利要求11所述的阵列基板,其特征在于,所述信号线引线包括栅线引线;
所述静电保护单元包括:具有第一栅极、第一源极以及第一漏极的第一晶体管和具有第二栅极、第二源极以及第二漏极的第二晶体管;其中,所述第一晶体管与所述第二晶体管沿所述静电释放线的延伸方向并列设置,且所述第一晶体管相对于所述第二晶体管靠近所述栅线引线;
所述第一源极和所述第二漏极为U型结构,且两者与所述静电释放线为一体结构;
所述第一漏极和所述第二源极与所述静电释放线同层同材料,所述第一漏极和所述第二源极为一体结构,且该一体结构通过第一连接体与所述栅线引线连接;
所述第一栅极和所述第二栅极与所述栅线引线同层同材料,且所述第一栅极与所述栅线引线为一体结构,所述第二栅极通过第二连接体与所述静电释放线连接。
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