[实用新型]层叠式散热芯片封装改进结构有效
申请号: | 201721516399.4 | 申请日: | 2017-11-15 |
公开(公告)号: | CN207611748U | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 朱能煌;江进良 | 申请(专利权)人: | 贵州贵芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L23/373 |
代理公司: | 贵阳春秋知识产权代理事务所(普通合伙) 52109 | 代理人: | 杨云 |
地址: | 550025 贵州*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃基板 集成电路 改进结构 封装 本实用新型 第二基板 散热芯片 主体线路 层叠式 凹坑 通孔 电子元器件 第一基板 封装芯片 散热性能 导电块 电连接 封装式 体积小 多块 芯片 | ||
本实用新型公开了一种层叠式散热芯片封装改进结构,属于电子元器件;旨在提供一种体积小、散热性能好的封装芯片。它包括有第一导溢通孔(13)和第一基板线路(14)的第一玻璃基板(10)、有第二导溢通孔(43)和第二基板线路(44)的第二玻璃基板(40),第一集成电路(20)与第一玻璃基板(10)连接,第二集成电路(50)与第二玻璃基板(40)连接;主体(70)的表面(71)有凹坑(711)和主体线路(712),第一集成电路(20)通过第一玻璃基板(10)固定于凹坑(711)中、第一玻璃基板(10)的上方是通过第二基板导电块(46)与主体线路(712)电连接的第二玻璃基板(40)。本实用新型可封装多块集成电路,是一种封装式芯片改进结构。
技术领域
本实用新型涉及一种芯片封装结构,尤其涉及一种层叠式散热芯片封装改进结构,属于电子元器件。
背景技术
因数据量庞大,对于效能需求的增加,目前服务器大多需使用多个中央处理器(Central Processing Unit,CPU)进行运算处理,不论是双处理器、四处理器或是更多的处理器,在现有的架构,都是将每个处理器分别设置在主板的各个位置,再进行电路设计布局。此种方式至少有两个重大的缺失,其一是每个处理器都具有多个针脚需连接于主板,且还有时序的问题,因此大幅度地增加电路布线的复杂度;其二是每个处理器都会占用主板的空间,当处理器数量的增加,对应也需不断地扩大主板的尺寸,使得主机的体积会非常庞大,以上两个缺失的结合,会造成服务器整体结构设计非常困难。
虽有习知技术将多个CPU的积体电路(也称集成电路,IC),或称芯片(chip)、晶粒(die)、裸晶进行堆栈后封装,但这些先前技术分别仍有缺失和相异于本发明之处如下述说明。
中国发明专利CN101107710B所堆栈的为不同尺寸的集成电路(即积体电路),其作用也不相同,上面集成电路的面积大于下面集成电路的面积,且两者接合于同一基板,其说明书中叙述要防止树脂流到基板的中央孔洞,以用于让光线穿透。美国发明专利US20060016973A1也为不同尺寸的集成电路,且两者接合于同一基板,其基板中央孔洞也用于透光。美国发明专利US8531019B2虽基板中央的通孔是用于散热,但通孔内部为金属线,并将其连接金属板和锡球来达到散热的目的。US6365963B也为不同尺寸的集成电路,且接合于同一基板,其基板的通孔是用于连接线路。发明专利200810063的基板不是玻璃基板,且是将两个基板进行接合,并非分别接和于封装主体,且其说明书中记载以附图的方式堆栈集成电路,会产生连接不良的问题,为一反面事例。
除上述叙述外,现有技术都未考虑到电路布线的问题,因此申请人提出一种以可藉由等线距解决电路布线问题,并具有高散热优点的层叠式芯片封装结构,以改善习知技术的缺失,并同时达到有效缩小封装体面积的功效。
发明内容
针对现有技术中存在的上述缺陷,本实用新型旨在提供一种体积小、散热性能好、便于布线的层叠式散热芯片封装改进结构。
为了实现上述目的,本实用新型采用以下技术方案:它包括通过基板封装于主体中的集成电路;所述基板为第一玻璃基板、第二玻璃基板,所述集成电路为与上述两玻璃基板分别对应的第一集成电路、第二集成电路;其中:
第一玻璃基板的中央具有第一导溢通孔,第一玻璃基板背面分布有第一基板线路;该第一基板线路由分布于第一导溢通孔周围的多个第一基板接点、靠近第一玻璃基板边缘分布的多个第一基板导电块、分别将各第一基板接点与各第一基板导电块对应电连接的多个第一导电通道构成,第一集成电路通过多个第一导电块与各第一基板接点对应电连接;
第二玻璃基板的中央具有第二导溢通孔,第二玻璃基板背面分布有第二基板线路;该第二基板线路由分布于第二导溢通孔周围的多个第二基板接点、靠近第二玻璃基板边缘分布的多个第二基板导电块、分别将各第二基板接点与各第二基板导电块对应电连接的多个第二导电通道构成,第二集成电路通过多个第二导电块与各第二基板接点对应电连接;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造