[实用新型]层叠式散热芯片封装改进结构

权利要求书

1.层叠式散热芯片封装改进结构，包括通过基板封装于主体中的集成电路；其特征在于：所述基板为第一玻璃基板(10)、第二玻璃基板(40)，所述集成电路为与上述两玻璃基板分别对应的第一集成电路(20)、第二集成电路(50)；其中：

第一玻璃基板(10)的中央具有第一导溢通孔(13)，第一玻璃基板背面(11)分布有第一基板线路(14)；该第一基板线路由分布于第一导溢通孔(13)周围的多个第一基板接点(15)、靠近第一玻璃基板(10)边缘分布的多个第一基板导电块(16)、分别将各第一基板接点(15)与各第一基板导电块(16)对应电连接的多个第一导电通道构成，第一集成电路(20)通过多个第一导电块(21)与各第一基板接点(15)对应电连接；

第二玻璃基板(40)的中央具有第二导溢通孔(43)，第二玻璃基板背面(41)分布有第二基板线路(44)；该第二基板线路由分布于第二导溢通孔(43)周围的多个第二基板接点(45)、靠近第二玻璃基板(40)边缘分布的多个第二基板导电块(46)、分别将各第二基板接点(45)与各第二基板导电块(46)对应电连接的多个第二导电通道构成，第二集成电路(50)通过多个第二导电块(51)与各第二基板接点(45)对应电连接；

主体(70)的主体表面(71)具有凹坑(711)和主体线路(712)，位于凹坑(711)中的第一玻璃基板(10)通过第一基板导电块(16)与主体线路(712)电连接；在第一玻璃基板(10)的上方是通过第二基板导电块(46)与主体线路(712)电连接的第二玻璃基板(40)。

2.根据权利要求1所述的层叠式散热芯片封装改进结构，其特征在于：第一玻璃基板表面(12)、第二玻璃基板表面(42)至少有一块具有涂覆有抗干扰金属线路镀层。

3.根据权利要求1所述的层叠式散热芯片封装改进结构，其特征在于：第一集成电路(20)与第二集成电路(50)结构相同、尺寸相同。

4.根据权利要求1所述的层叠式散热芯片封装改进结构，其特征在于：凹坑(711)为阶梯状结构。

5.根据权利要求1所述的层叠式散热芯片封装改进结构，其特征在于：主体(70)的主体表面(71)固定有与主体线路(712)电连接的多个第一锡球(713)。

6.根据权利要求5所述的层叠式散热芯片封装改进结构，其特征在于：主体(70)的主体背面(72)固定有多个第一散热器(721)。

7.根据权利要求1所述的层叠式散热芯片封装改进结构，其特征在于：主体(70)的主体背面(72)固定有与主体线路(712)电连接的多个第二锡球(722)。

8.根据权利要求7所述的层叠式散热芯片封装改进结构，其特征在于：主体(70)的主体表面(71)固定有与第二玻璃基板(40)接触的多个第二散热器(714)。

9.根据权利要求1～8中任意一项所述的层叠式散热芯片封装改进结构，其特征在于：在第一玻璃基板(10)与第二集成电路(50)之间固定有散热片。

10.根据权利要求1～8中任意一项所述的层叠式散热芯片封装改进结构，其特征在于：在第二玻璃基板(40)与凹坑(711)之间的区域内有填充剂。