[实用新型]一种具有高反射电极的LED芯片有效

专利信息
申请号: 201721510127.3 申请日: 2017-11-13
公开(公告)号: CN207398164U 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 王兵 申请(专利权)人: 佛山市国星半导体技术有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/40
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 胡枫
地址: 528200 广东省佛山市南海区狮*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 反射 电极 led 芯片
【说明书】:

本实用新型公开了一种具有高反射电极的LED芯片,包括衬底,设于所述衬底上的第一半导体层,设于所述第一半导体层上的有源层和第一电极,设于所述有源层上的第二半导体层,设于所述第二半导体层上的第二电极,所述第一电极包括依次设于第一半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层,所述第二电极包括依次设于所述第二半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层。本实用新型使用Al层作为底层,不仅减少了一层Cr层,简化工艺,降低成本。此外,Al层的反射率较Cr层高,从而提高了芯片的出光效率。进一步地,由于Cr的导电性能优于Al,因此在所述Al层上先形成一层Ti层,然后形成一层Cr层,从而提高了电极的导电性能,减低芯片的电压。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域,尤其涉及一种具有高反射电极的LED芯片。

背景技术

LED(Light Emitting Diode,发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件,LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

现有的LED芯片由于电极形成在发光层的表面,吸收了部分发光层发出的光线,从而降低了LED芯片的出光效率。此外,现有的电极一般由Au制作而成,由于Au与外延层之间具有一定的差异,现有工艺是将Cr层作为电极的底层,然后在Cr层上形成Al层、Ti层、Cr层、Pt层等,最后形成Au层。但现有的电极形成工艺复杂,生产成本高,且Cr层的反射率低,影响芯片的出光效率。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种具有高反射电极的LED芯片,提高LED芯片的出光效率,降低生产成本。

为了解决上述技术问题,本实用新型还提供了一种具有高反射电极的LED芯片,包括:

衬底;

设于所述衬底上的第一半导体层;

设于所述第一半导体层上的有源层和第一电极;

设于所述有源层上的第二半导体层;

设于所述第二半导体层上的第二电极;

所述第一电极包括依次设于第一半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层,所述第二电极包括依次设于所述第二半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层。

作为上述方案的改进,所述Al层的厚度为1000-2000埃,所述Ti层的厚度为500-700埃,所述Cr层的厚度为300-500埃,所述Pt层的厚度为600-1500埃,所述Au层的厚度为8000-12000埃。

作为上述方案的改进,所述Al层的厚度为1200-1800埃,所述Ti层的厚度为550-650埃,所述Cr层的厚度为350-450埃,所述Pt层的厚度为700-1300埃,所述Au层的厚度为9000-11000埃。

作为上述方案的改进,所述Al层的厚度为1100埃,所述Ti层的厚度为520埃,所述Cr层的厚度为350埃,所述Pt层的厚度为700埃,所述Au层的厚度为8800埃。

作为上述方案的改进,所述Al层的厚度为1600埃,所述Ti层的厚度为660埃,所述Cr层的厚度为440埃,所述Pt层的厚度为780埃,所述Au层的厚度为9800埃。

作为上述方案的改进,所述Al层的厚度为1500埃,所述Ti层的厚度为600埃,所述Cr层的厚度为480埃,所述Pt层的厚度为1200埃,所述Au层的厚度为11000埃。

作为上述方案的改进,所述Al层的厚度为1800埃,所述Ti层的厚度为680埃,所述Cr层的厚度为320埃,所述Pt层的厚度为1400埃,所述Au层的厚度为12000埃。

实施本实用新型,具有如下有益效果:

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