[实用新型]一种具有高反射电极的LED芯片

权利要求书

1.一种具有高反射电极的LED芯片，包括：

衬底；

设于所述衬底上的第一半导体层；

设于所述第一半导体层上的有源层和第一电极；

设于所述有源层上的第二半导体层；

设于所述第二半导体层上的第二电极；

所述第一电极包括依次设于第一半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层，所述第二电极包括依次设于所述第二半导体层上的Al层、Ti层、Cr层、Pt层和Au层。

2.根据权利要求1所述的具有高反射电极的LED芯片，其特征在于，所述Al层的厚度为1000-2000埃，所述Ti层的厚度为500-700埃，所述Cr层的厚度为300-500埃，所述Pt层的厚度为600-1500埃，所述Au层的厚度为8000-12000埃。

3.根据权利要求2所述的具有高反射电极的LED芯片，其特征在于，所述Al层的厚度为1200-1800埃，所述Ti层的厚度为550-650埃，所述Cr层的厚度为350-450埃，所述Pt层的厚度为700-1300埃，所述Au层的厚度为9000-11000埃。

4.根据权利要求2所述的具有高反射电极的LED芯片，其特征在于，所述Al层的厚度为1100埃，所述Ti层的厚度为520埃，所述Cr层的厚度为350埃，所述Pt层的厚度为700埃，所述Au层的厚度为8800埃。

5.根据权利要求2所述的具有高反射电极的LED芯片，其特征在于，所述Al层的厚度为1600埃，所述Ti层的厚度为660埃，所述Cr层的厚度为440埃，所述Pt层的厚度为780埃，所述Au层的厚度为9800埃。

6.根据权利要求2所述的具有高反射电极的LED芯片，其特征在于，所述Al层的厚度为1500埃，所述Ti层的厚度为600埃，所述Cr层的厚度为480埃，所述Pt层的厚度为1200埃，所述Au层的厚度为11000埃。

7.根据权利要求2所述的具有高反射电极的LED芯片，其特征在于，所述Al层的厚度为1800埃，所述Ti层的厚度为680埃，所述Cr层的厚度为320埃，所述Pt层的厚度为1400埃，所述Au层的厚度为12000埃。