[实用新型]一种薄膜晶体管

说明书

本实用新型属于显示器件领域，公开了一种薄膜晶体管。所述薄膜晶体管由衬底、衬底上设置的栅极、栅极表面包覆的绝缘层、绝缘层上表面的有源层、有源层两侧的源漏电极和最外层的钝化层构成；所述源漏电极与有源层和绝缘层两侧及衬底上表面接触，所述钝化层覆盖源漏电极和有源层外表面。本实用新型的薄膜晶体管中，钝化层除了具有保护作用外，还具有与有源层共同作用，提高载流子浓度和加速载流子传输，从而提高迁移率的作用。

技术领域

本实用新型属于显示器件领域，具体涉及一种薄膜晶体管。

背景技术

近年来，由于面板朝着大尺寸、高分辨率和高刷新速率方向发展，对薄膜晶体管(Thin Film Transistors，TFT)的性能提出了更高的要求。显示器件需要更低的阻抗延迟以满足需求，氧化物薄膜晶体管因为其高迁移率，均匀性好，低成本的特点，得到了广泛的应用。因此如何获得器件低阻抗延迟是本领域技术人员需要解决的问题。

实用新型内容

针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本实用新型的目的在于提供一种薄膜晶体管。

本实用新型目的通过以下技术方案实现：

一种薄膜晶体管，由衬底、衬底上设置的栅极、栅极表面包覆的绝缘层、绝缘层上表面的有源层、有源层两侧的源漏电极和最外层的钝化层构成；所述源漏电极与有源层和绝缘层两侧及衬底上表面接触，所述钝化层覆盖源漏电极和有源层外表面。

所述的衬底是玻璃、石英、单晶硅、蓝宝石或塑料。

所述的栅极的材料为铝、多晶硅、铜、钼、铬或上述材料的合金。

优选地，所述栅极的厚度为50-10000nm。

优选地，所述绝缘层的厚度为2-1000nm。

所述的有源层为具有半导体特性的氧化物薄膜，优选为含铟氧化物的薄膜，特别优选为钕铝铟锌氧化物薄膜。

优选地，所述有源层的厚度为5-200nm。

优选地，所述的源漏电极的材料为纯铜或铜合金，更优选为纯铜。含铜电极具有低的电阻率，能够有效降低阻抗延迟；源漏电极的沟道宽度和长度可根据实际需要设置。

优选地，所述绝缘层和钝化层的材料为氧化铝、氧化硅、氮化硅、氧化铪、氧化锆或氧化钛。

优选地，所述钝化层的厚度为2-5000nm。

本实用新型的薄膜晶体管可通过如下方法制备：

(1)在衬底使用直流磁控溅射的方法沉积50-10000nm的薄膜作为栅极，并使之图形化；

(2)在栅极表面通过阳极氧化或化学气相沉积的方法制备2-1000nm的不导电薄膜作为绝缘层；

(3)在绝缘层上表面沉积5-200nm的含铟氧化物半导体薄膜作为有源层，使之图形化；

(4)在有源层上沉积一层含铜金属薄膜，使之图形化形成一定沟道宽度和长度的源漏电极；

(5)在整个器件表面沉积一层2-5000nm厚的不导电薄膜作为钝化层；

(6)最后将整个器件在空气、氧气、氮气或者氩气的气氛中，在20～500℃下退火5～600min，得到所述薄膜晶体管。

本实用新型的薄膜晶体管具有如下优点及有益效果：

(1)在本实用新型的薄膜晶体管中，钝化层除了具有保护作用外，还具有与有源层共同作用，提高载流子浓度、促进电子传输，从而提高迁移率的作用。