[实用新型]一种薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201721502998.0 | 申请日： | 2017-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN207517700U | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;胡诗犇;彭俊彪;姚日晖;卢宽宽;陶瑞强;蔡炜;刘贤哲;陈建秋;徐苗 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/45;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 511458 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 源层 薄膜晶体管 源漏电极 钝化层 绝缘层 本实用新型 衬底 载流子 绝缘层上表面 衬底上表面 加速载流子 显示器件 栅极表面 包覆的 迁移率 最外层 传输 覆盖 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管由衬底、衬底上设置的栅极、栅极表面包覆的绝缘层、绝缘层上表面的有源层、有源层两侧的源漏电极和最外层的钝化层构成；所述源漏电极与有源层和绝缘层两侧及衬底上表面接触，所述钝化层覆盖源漏电极和有源层外表面。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于：所述栅极的厚度为50-10000nm。
3.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于：所述绝缘层的厚度为2-1000nm。
4.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于：所述有源层的厚度为5-200nm。
5.根据权利要求1所述的一种薄膜晶体管，其特征在于：所述钝化层的厚度为2-5000nm。
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