[实用新型]用于化学处理带有被锯割形成的表面结构的半导体衬底的设备

权利要求书

1.一种用于化学处理带有被锯割形成的表面结构的半导体衬底的设备，其包括：

-带有第一工艺液体(10)的第一工艺槽(6)，所述第一工艺液体(10)用于去除被锯割形成的表面结构(S₀)和通过金属辅助化学刻蚀用于产生织构化的表面结构(S₁)，

-用于对所述织构化的表面结构(S₁)实施至少一次清洁的第一清洁装置(7)，

-带有第二工艺液体(18)的第二工艺槽(8)，所述第二工艺液体(18)用于通过化学刻蚀对于所述清洁过的织构化的表面结构(S₁)进行后处理。

2.按照权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一工艺液体(10)具有温度T₁，其中：10℃≤T₁≤45℃。

3.按照权利要求2所述的设备，其特征在于，所述第一工艺液体(10)具有温度T₁，其中：20℃≤T₁≤35℃。

4.按照权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一清洁装置(7)具有至少一个带有清洁液体(17)的清洁槽(13、14；13、14、14‘)，其中，所述清洁液体(17)具有温度T_R，对此规定：15℃≤T_R≤65℃。

5.按照权利要求4所述的设备，其特征在于，所述清洁液体(17)具有温度T_R，对此规定：40℃≤T_R≤50℃。

6.按照权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一清洁装置(7)具有多个先后布置的带有清洁液体(17)的清洁槽(13、14；13、14、14‘)。

7.按照权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一清洁装置(7)具有至少一个喷淋单元(29、30、31)用于向所述织构化的表面结构(S₁)上喷淋清洁液体(17)，所述至少一个喷淋单元布置在至少一个清洁槽(13、14、14‘)内部和/或上方。

8.按照权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一清洁装置(7)具有多个先后布置的喷淋单元(29、30、31)用于向所述织构化的表面结构(S₁)上喷淋清洁液体(17)，所述多个先后布置的喷淋单元分别布置在对应的清洁槽(13、14、14‘)内部和/或上方。

9.按照权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一清洁装置(7)具 有至少一个带有冲洗液体(16)的冲洗槽(12、15)，其中，所述冲洗液体(16)从水和蒸馏水中选择。

10.按照权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一清洁装置(7)具有至少一个带有冲洗液体(16)的冲洗槽(12、15)和至少一个带有清洁液体(17)的清洁槽(13、14；13、14、14‘)。

11.按照权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二工艺液体(18)具有温度T₂，其中规定：15℃≤T₂≤65℃。

12.按照权利要求11所述的设备，其特征在于，所述第二工艺液体(18)具有温度T₂，其中规定：20℃≤T₂≤35℃。

13.按照权利要求1所述的设备，其特征在于，该设备配设有用于清洁后处理过的织构化的表面结构(S₂)的第二清洁装置(9)。

14.按照权利要求13所述的设备，其特征在于，所述第二清洁装置(9)具有带碱性的清洁液体(21)的清洁槽(20)。

15.按照权利要求1所述的设备，其特征在于，该设备配设有用于把半导体衬底(2)沿输送方向(3；3、3‘)输送的输送装置(4；4、4‘)。