[实用新型]用于化学处理带有被锯割形成的表面结构的半导体衬底的设备

说明书

本实用新型涉及一种用于化学处理带有被锯割形成的表面结构(S₀)的半导体衬底(2)的设备(1)，包括带有第一工艺液体(10)的第一工艺槽(6)。第一工艺液体(10)既适于去除被锯割形成的或者由半导体熔体成型的表面结构(S₀)，也适于通过金属辅助化学刻蚀产生织构化的表面结构(S₁)。接着借助清洁装置(7)彻底清洁织构化的表面结构(S₁)。接着在第二工艺槽(8)中通过第二工艺液体(18)后处理织构化的表面结构(S₁)。后处理过的织构化的表面结构(S₂)实现制造带有极低反射损失和高效率的太阳能电池。

技术领域

本实用新型涉及一种用于化学处理带有被锯割形成的或者由半导体熔体成型的表面结构的半导体衬底的设备和方法。被锯割形成的表面结构包括锯损伤，锯损伤尤其由金刚线锯工艺造成。

背景技术

太阳能电池的效率取决于反射损失。为了把反射损失最小化和优化效率，制造带有织构化的表面结构的半导体衬底。若这种半导体衬底或者说硅衬底通过特别有效的方法处理，则其例如被称为“黑硅(英语：Black Silicon)”。

用于制造带有织构化的表面结构的半导体衬底的方法例如是金属辅助化学刻蚀法(英语缩写：MACE，即Metal Assisted Chemical Etching)。金属辅助化学刻蚀法例如在专利文献WO2014/166256A1中已知。其缺点是，在金属辅助化学刻蚀以便产生织构化的表面结构之前必须对半导体衬底费事地预处理，以便去除被锯割形成的表面结构或者说锯损伤，所述锯损伤是由之前的线锯引起的。这相应地也适用于借助Direct-Wafer(直接硅片)技术直接由半导体熔体制造的并且其表面结构由半导体熔体成型的半导体的衬底。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题在于，提供一种设备，其用于化学处理带有被锯割形成的或者由半导体熔体成型的表面结构的半导体衬底，所述设备可以以简单和有效的方式去除被锯割形成的或者由半导体熔体成型的表面结构和产生织构化的表面结构用于制造带有极低反射损失和高效率的太阳能电池。所述设备尤其可以以简单和有效的方式实现去除由金刚线锯产生的或者由半导体熔体成型的表面结构，并且产生有效的纹理或者说有效的织构化的表面结构。