[实用新型]集成电路封装件及封装基板有效
申请号: | 201721399278.6 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN207611749U | 公开(公告)日: | 2018-07-13 |
发明(设计)人: | 欧宪勋;程晓玲;罗光淋 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31;H01L23/528 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装结构 集成电路封装件 封装基板 上层 下层 非导电粘接剂 封装集成电路 本实用新型 焊垫 内埋 腔体 电磁环境 机械结构 收纳 封装件 固定的 内嵌 封装 体内 暴露 | ||
本实用新型是关于集成电路封装件及封装基板。根据本实用新型一实施例的封装基板包括由非导电粘接剂固定的上层封装结构以及下层封装结构。该上层封装结构具有用于内嵌待封装集成电路元件的腔体,该下层封装结构上的内埋焊垫暴露于该腔体内。根据本实用新型的集成电路封装件及封装基板,通过在上层封装结构中设置收纳待封装集成电路元件的腔体,及使用非导电粘接剂来固定上层封装结构与下层封装结构,可以简便的工艺提供具有良好的电磁环境和机械结构的封装基板及集成电路封装件。在焊垫内埋的情况下,还可进一步降低封装件的厚度。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,特别是涉及半导体技术领域中的集成电路封装件及封装基板。
背景技术
随着电子技术和半导体技术的发展,市场对电子产品的要求越来越高。电子产品在功能高度集成的同时,其尺寸要保持不变甚至更小型化。为适应这种需求,业内尝试将集成电路元件嵌入封装基板中,并在封装基板内部进行打线等电连接配置处理。这要求封装基板在设计和制造时需考虑更多的因素,如工艺复杂度、结构稳定性、耐高温与否、制造成本等等。
因而,如何提供一种封装基板使其满足集成电路元件内埋的配置,使得封装整体结构薄化且结构稳定,以符合高密度的集成电路需求是半导体技术领域持续改进的问题之一。
实用新型内容
本实用新型的目的之一在于提供一种集成电路封装件及封装基板,集成电路元件可内嵌于封装基板内,从而可以简便的工艺实现集成电路封装件的高结构稳定性和集成度。
根据本实用新型的一实施例,一封装基板包括:上层封装结构;以及下层封装结构,该上层封装结构与该下层封装结构之间由非导电粘接剂固定。
根据本实用新型的另一实施例,其中上层封装结构包括:第一非导电材料层;第一线路层,位于该第一非导电材料层的上表面上;第二线路层,位于该第一非导电材料层的下表面;第二非导电材料层,位于该第二线路层的下表面上;第三线路层,位于该第二非导电材料层的下表面上;以及腔体,贯穿该上层封装结构的上表面至该腔体的下表面。该下层封装结构包括:第三非导电材料层,其上设有连接孔以将该第三线路层的引脚暴露于该连接孔;第四线路层,位于该第三非导电材料层的顶侧;该第三非导电材料层的上表面与该第四线路层的上表面粘接于该第三线路层的下表面;且该第四线路层上设有用于与待封装集成电路元件电性连接的焊垫,该焊垫的上表面暴露于该腔体内;以及第五线路层,位于该第三非导电材料层的底侧,且与该第三线路层的引脚在该连接孔内电性连接。
本实用新型实施例还提供了使用上述封装基板制造的集成电路封装件。
本实用新型实施例提供的集成电路封装件及封装基板,通过在上层封装结构中设置收纳待封装集成电路元件的腔体,及使用非导电粘接剂来固定上层封装结构与下层封装结构,可以简便的工艺提供具有良好的电磁环境和机械结构的封装基板及集成电路封装件。在焊垫内埋的情况下,还可进一步降低封装件的厚度。
附图说明
图1a-1j所示是根据本实用新型一实施例的封装基板的制造方法中的主要工艺流程所生成的中间产品的结构示意图
图2所示即是根据本实用新型一实施例集成电路封装件的剖面示意图
具体实施方式
为更好的理解本实用新型的精神,以下结合本实用新型的部分优选实施例对其作进一步说明。
为满足集成电路元件内嵌的需求,封装基板通常是多层的,例如包括一供集成电路元件内嵌的上层封装结构及将该上层封装结构的电路导引至封装基板的外层电路的下层封装结构。而上层封装结构的电路与下层封装结构的电路之间的电连接配置及内嵌集成电路元件的电路连接配置是这一类封装基板所要解决的主要问题所在,不适当的配置方式可能导致厚度增加、连接不稳定或成本过高等诸多问题。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造