[实用新型]化学气相沉积设备

说明书

本实用新型提供一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包括：反应腔体；真空提供装置，所述真空提供装置提供所述反应腔体内的真空；源供给装置，所述源供给装置将反应气体供给到所述反应腔体中；管状加热器，所述管状加热器处于所述反应腔体内，具有开放的两端和用于容纳生长基底的管腔；催化剂传送装置，所述催化剂传送装置处于所述反应腔体中，用于将催化剂传送经过管腔。

技术领域

本实用新型涉及化学气相沉积技术领域，尤其涉及一种化学气相沉积设备。

背景技术

CVD技术是化学气相沉积Chemical Vapor Deposition的缩写。化学气相沉积是通过化学反应的方式，利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。

石墨烯和六方氮化硼是目前热门的二维材料。但是，其中任何单独一种都无法最大化实现它们的价值。理论上和实验上都指出六方氮化硼和石墨烯的叠层结构可以打开石墨烯的能带带隙，并且能够很大程度提高石墨烯的电子迁移率。

目前，针对二维材料的生长，采用的CVD设备绝大部分都是热壁管式炉。热壁管式炉可以制备出对生长真空度要求不高的薄膜，但是实验的可重复性差。而且，在制备二维六方氮化硼-二维石墨烯叠层结构的实践中发现，在低真空设备里，生长完第一层六方氮化硼后，氮化硼会被氧化。另外，对于这种强烈依赖于催化剂的生长过程，基于目前的源还不能在脱离催化剂的情况下进行生长。然而，针对于制备III-V族异质结的MOCVD设备虽然符合要求但是造价又太过于昂贵。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种化学气相沉积设备。

在一个方面，本实用新型提供了一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包括：

反应腔体；

真空提供装置，所述真空提供装置提供所述反应腔体内的真空；

源供给装置，所述源供给装置将反应气体供给到所述反应腔体中；

管状加热器，所述管状加热器处于所述反应腔体内，具有开放的两端和用于容纳生长基底的管腔；

催化剂传送装置，所述催化剂传送装置处于所述反应腔体中，用于将催化剂传送经过管腔。

优选地，所述管状加热器的横截面为矩形。

优选地，所述管状加热器水平安置。

优选地，所述化学气相沉积设备还包括生长基底位置调节装置。

优选地，所述生长基底位置调节装置是加热器高度调节装置。

优选地，所述反应腔体是冷壁反应腔体。

优选地，所述反应腔体具有双层夹壁水冷外壳。

优选地，所述源供给装置包括反应源存储器。

优选地，所述源供给装置的源是液态源和/或气态源。

优选地，所述源供给装置包括用于液态源的反应源存储器和通过反应源存储器的载气鼓泡器。

优选地，所述反应源存储器包括冷却器。

优选地，所述冷却器是半导体冷阱。

优选地，所述源供给装置将反应气体直接引入管腔中。

优选地，所述催化剂传送装置是卷对卷传送带，用于使催化剂经由所述管状加热器的一端进入所述管腔，并经由所述管状加热器的另一端离开所述管腔。

优选地，所述管状加热器的横截面为矩形，底面用于放置生长基底，