[实用新型]化学气相沉积设备有效
| 申请号： | 201721380853.8 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN207418858U | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 郭国平;杨晖;李海欧;曹刚;肖明;郭光灿 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/448 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 程纾孟 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学气相沉积设备 反应腔体 催化剂 真空提供装置 管状加热器 传送装置 供给装置 反应腔 管腔 体内 反应气体供给 本实用新型 生长基 传送 容纳 开放 | ||
1.一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包括：
反应腔体；
真空提供装置，所述真空提供装置提供所述反应腔体内的真空；
源供给装置，所述源供给装置将反应气体供给到所述反应腔体中；
管状加热器，所述管状加热器处于所述反应腔体内，具有开放的两端和用于容纳生长基底的管腔；
催化剂传送装置，所述催化剂传送装置处于所述反应腔体中，用于将催化剂传送经过所述管腔。
2.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，
所述管状加热器的横截面为矩形。
3.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，
所述管状加热器水平安置。
4.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备还包括生长基底相对位置调节装置。
5.根据权利要求4所述的化学气相沉积设备，其中，
所述生长基底相对位置调节装置是加热器高度调节装置。
6.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，
所述反应腔体是冷壁反应腔体。
7.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，
所述反应腔体具有双层夹壁水冷外壳。
8.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，
所述源供给装置包括反应源存储器。
9.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，
所述源供给装置的源是液态源和/或气态源。
10.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，
所述源供给装置包括用于液态源的反应源存储器和通过反应源存储器的载气鼓泡器。
11.根据权利要求10所述的化学气相沉积设备，其中，
所述用于液态源的反应源存储器包括冷却器。
12.根据权利要求11所述的化学气相沉积设备，其中，
所述冷却器是半导体冷阱。
13.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，所述源供给装置将反应气体直接引入所述管腔中。
14.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，
所述催化剂传送装置是卷对卷传送带，用于使催化剂经由所述管状加热器的一端进入所述管腔，并经由所述管状加热器的另一端离开所述管腔。
15.根据权利要求1所述的化学气相沉积设备，其中，
所述管状加热器的横截面为矩形，底面用于放置生长基底，
所述化学气相沉积设备还包括生长基底相对位置调节装置，所述生长基底相对位置调节装置是加热器高度调节装置，
所述反应腔体具有双层夹壁水冷外壳，
所述源供给装置的源是液态源和气态源，
所述源供给装置包括用于液态源的反应源存储器和通过所述反应源存储器的载气鼓泡器，所述反应源存储器包括半导体冷阱，
所述催化剂传送装置是卷对卷传送带，用于使催化剂经由所述管状加热器的一端进入所述管腔，并经由所述管状加热器的另一端离开所述管腔。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
