[实用新型]一种可持续生产的晶体生长装置有效
申请号: | 201721368565.0 | 申请日: | 2017-10-23 |
公开(公告)号: | CN207727191U | 公开(公告)日: | 2018-08-14 |
发明(设计)人: | 唐华纯;李中波 | 申请(专利权)人: | 上海御光新材料科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B11/00 | 分类号: | C30B11/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201807 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 炉体 晶体生长装置 支架 流体冷却装置 本实用新型 平移装置 垂直升降装置 温度低于熔点 垂直设置 间距放置 晶体生长 水平设置 低温区 高温区 易氧化 中温区 熔融 坩埚 生产 分解 应用 | ||
本实用新型涉及到一种可持续生产的晶体生长装置,具体结构包括有炉体,所述炉体划分有上部的高温区、中部的中温区和下部的低温区;流体冷却装置,所述流体冷却装置与所述炉体连接,位于所述炉体下方设置有支架;所述支架上水平设置有平移装置,所述平移装置上等间距放置有多个坩埚;垂直设置在所述支架上的垂直升降装置。本实用新型可持续生产的晶体生长装置结构简单,用于一系列易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的晶体生长,具有广泛的应用价值。
【技术领域】
本实用新型涉及单晶生长技术领域,尤其是涉及一种可持续生产的晶体生长装置。
【背景技术】
非线性光学(NLO)晶体在众多领域有着极为重要的应用,近年来国内外发现了许多性质良好的具有新颖结构的NLO化合物粉末,如Ba 3P 3O 6Cl等,由于没有厘米级单晶,尚未评估它们是否有实际应用价值。原因在于大量新颖的NLO化合物易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点,且多晶料难以大量合成,获得厘米级单晶非常困难。因此,探索开发一种适用于此类化合物晶体生长的方法具有重要的意义,众所周知,此类化合物由于其强的挥发性和易氧化而无法在开放空间中合成与晶体生长,而是需要在密闭无水无氧环境中进行。目前对于非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的单晶生长非常困难,该类晶体的生长研究也尚未在文献中报道,适用于需要密闭环境的化合物晶体的生长方法是布里奇曼晶体生长法。对于易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的晶体生长不仅需要密闭环境,且需要助熔剂辅助。在晶体生长过程中,助熔剂的存在可以降低晶体的结晶温度,但是也会造成晶体的缺陷。因此优化晶体生长设备,使得在晶体生长过程中助熔剂能快速有效的排出晶体,成为目前迫切需要解决的主要问题。
【实用新型内容】
鉴于以上所述,本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种可持续生产的晶体生长装置,其结构简单,而且还适用于一系列易氧化、非一致熔融或分解温度低于熔点的化合物的晶体生长,具有广泛的应用价值。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供一种可持续生产的晶体生长装置,包括:炉体,所述炉体包括位于上部的高温区、中部的中温区以及下部的低温区;
坩埚;
流体冷却装置,所述流体冷却装置与所述炉体连接。
设置在所述炉体下方的支架;
水平设置在支架上的平移装置,所述平移装置上等间距放置有多个坩埚;
垂直设置在支架上的垂直升降装置。
进一步提供一种实现方式,所述平移装置为水平传送带。
进一步提供一种实现方式,所述垂直升降装置包括垂直升降杆,电机,垂直升降杆垂直设置在支架上,所述坩埚垂直设置在垂直升降杆上,所述电机与垂直升降杆连接,以控制垂直升降杆的升降,进而控制坩埚在所述高温区与所述低温区之间往复运动。
进一步提供一种实现方式,所述装置还包括:所述炉体外周侧的加热装置,所述加装装置包括位于高温区内的高温发热丝及位于中温区的中温发热丝。
进一步提供一种实现方式,所述加热装置在所述高温区和所述中温区均设置有控温热电偶。
进一步提供一种实现方式,所述流体冷却装置包括:充气泵、充气阀、喷嘴,所述充气泵与充气阀连接,所述喷嘴设置在所述炉体内并位于炉体低温区,所述充气阀与喷嘴连接。
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