[实用新型]晶圆结构及芯片有效
申请号: | 201721309475.4 | 申请日: | 2017-09-30 |
公开(公告)号: | CN207183245U | 公开(公告)日: | 2018-04-03 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 睿力集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市铸成律师事务所11313 | 代理人: | 张臻贤,李够生 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 结构 芯片 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及一种晶圆结构及芯片。
背景技术
在现有技术中,晶圆上的各芯片多采用切刀进行切割分离,但由于切刀具有一定厚度,因此需要在相邻的芯片间预留出一定厚度的间隔空隙供切刀移动。但由于晶圆的大小和面积是一定的,因此增加间隔空隙的宽度就意味着减小了晶圆上能够设置芯片的可用面积,从而使得晶圆的使用率降低,并且增加了晶圆的成本。进一步的,在切割过程中切刀的快速旋转会产生一定的切屑,切屑飞溅到芯片上会对芯片造成损伤,同时由于切刀转速过快,容易出现脱离间隔空隙而将芯片切断的风险,从而降低了芯片的成品率,严重情况会使整个晶圆破裂报废,不仅造成经济损失还降低了产量。另一方面,如图1所示,切刀尺寸较大且灵活性差,无法实现灵活转动,切割路径11只能为直线,因此切割出的芯片20只能为矩形,无法根据工作需求进行灵活调整,并且受切割形状的限制,每个芯片20的四周无法有效率利用,降低了晶圆本体100的利用率,增加了制造成本。
在背景技术中公开的上述信息仅用于加强对本实用新型的背景的理解,因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例希望提供一种晶圆结构及芯片,以至少解决现有技术中存在的技术问题。
本实用新型实施例的技术方案是这样实现的:
根据本实用新型的一个实施例,提供一种晶圆结构,包括一晶圆本体,所述晶圆本体具有主动表面,多个芯片设置在所述晶圆本体中,所述主动表面包括所述芯片的多个安装面以及位于相邻所述芯片的所述安装面之间的第一周边区域,在所述晶圆本体的所述主动表面上设置有多个第一焊垫和第二焊垫,所述第一焊垫排列于每个所述芯片的所述安装面的中间位置,所述第二焊垫排列于所述第一周边区域;其中,每个所述芯片更具有一外凸结构,位于所述第一周边区域中,在所述外凸结构上的所述第二焊垫至少为一个,且所述第二焊垫与相邻所述芯片的所述第一焊垫相邻近。
在一些实施例中,所述主动表面还包括第二周边区域,围绕所述芯片的所述安装面,至少一所述第二焊垫还设置在所述第二周边区域,所述第二周边区域为多个所述芯片周边排除所述第一周边区域以外的区域。
在一些实施例中,在所述晶圆本体的所述主动表面上还设置有至少一检测垫,排列于所述第一周边区域。
在一些实施例中,同一所述第一周边区域中的所述第二焊垫和邻近的所述检测垫之间具有第一间隙;且同一所述第一周边区域中的各所述第二焊垫、各所述检测垫与两侧邻近的所述芯片之间也具有所述第一间隙。
在一些实施例中,在所述晶圆本体的所述主动表面上还设置有至少一检测垫,排列于所述第二周边区域。
在一些实施例中,同一所述第二周边区域中的各所述第二焊垫和邻近的所述检测垫之间具有第二间隙,且同一所述第二周边区域中的各所述第二焊垫、各所述检测垫与邻近的所述芯片之间也具有所述第二间隙。
在一些实施例中,每个所述第一周边区域上的各所述第二焊垫均与其相邻的所述芯片的内部电路电连接。
在一些实施例中,各所述芯片间的所述外凸结构在所述晶圆本体的所述第一周边区域中形成锯齿状结构。
根据本实用新型的另一个实施例,提供一种由所述切割方法制成的芯片,所述芯片具有安装面以及突出于所述安装面的外凸结构,在所述安装面上设置有第一焊垫,所述外凸结构位于所述安装面具有所述第一焊垫位置处的一侧,所述外凸结构上设置有至少一个第二焊垫。
在一些实施例中,所述外凸结构呈阶梯状一体设置在所述安装面的外缘,所述第二焊垫与所述第一焊垫相邻近。
本实用新型实施例由于采用以上技术方案,其具有以下优点:
1、本实用新型实施例由于采用等离子切割芯片,因此等离子射线的切割厚度小于刀具的厚度,使得相邻近的芯片间距能够相对减小至15μm以下,从而增加晶圆本体的可用面积,能够在晶圆本体上设置更多的芯片。
2、本实用新型实施例由于在第一周边区域上设置有与邻近芯片的第一焊垫相邻近的第二焊垫,因此能够扩种芯片的接口。
3、本实用新型实施例的第二焊垫与相邻近的芯片、检测垫之间均有间隙,因此在切割时能够根据工作需要调整每个芯片需要增加几个第二焊垫进行接口扩展,并通过等离子射线沿规划好的切割路径进行切割。
4、本实用新型实施例的等离子射线切割技术,能够使切割路径更加灵活,从而能够切割出不同形状的芯片,不再局限于现有的切割方式,只能够切割出矩形芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于睿力集成电路有限公司,未经睿力集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721309475.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:卡点、石墨舟片及石墨舟
- 下一篇:一种用于微型芯片的装配结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造