[实用新型]一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂

说明书

本实用新型涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂，包括连接段和支撑段，连接段包括两个相互平行的连接杆，支撑段包括两个对称设置且同圆心的弧形支撑杆，弧形支撑杆的一端与对应的连接杆的一端连接；两个弧形支撑杆的内部各设置有若干朝向圆心的支架，支架均包括相互连接的承载段和限位段，限位段的自由端与弧形支撑杆连接，且限位段的上端面高于承载段的上端面。将现有传输臂与晶圆中间位置接触的方式改为与晶圆的边缘位置进行接触，并且采用支架与晶圆边缘进行接触，减小了接触面积，有效提高了三五族化合物晶圆上镀膜的均匀性，避免出现传输臂在三五族化合物晶圆中间留下镀膜阴影的情况。

技术领域

本实用新型属于半导体制造设备技术领域，具体涉及一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂。

背景技术

目前半导体行业的主流设备是8寸或12寸设备，很多主流半导体设备厂商已不再制作6寸设备。但三五族化合物半导体行业的主流设备仍是6寸晶圆机台，因此一些从事三五族化合物半导体生产的企业从设备状况和成本节约的角度考虑，会购买一些原6寸硅厂使用过的二手设备。

使用这些二手设备进行三五族化合物晶圆镀膜时，将晶圆放置在传输臂上，传输臂底部的加热盘对三五族化合物晶圆进行加热。现有的传输臂结构如图1所示，由两个相互平行的支撑片1构成，使用时将晶圆2放置在两个支撑片1上，两个支撑片1与晶圆2的中间位置接触。由于三五族化合物晶圆的热传导性较硅晶圆差，现有传输臂与晶圆中间接触的方式造成传输臂与晶圆接触位置的工艺温度有所降低，从而导致三五族化合物晶圆镀膜均匀性差，且所镀的SiN或SiO2薄膜上留有传输臂造成的镀膜阴影。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可以改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂。

为达到上述要求，本实用新型采取的技术方案是：提供一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂，包括连接段和支撑段，连接段包括两个相互平行的连接杆，支撑段包括两个对称设置且同圆心的弧形支撑杆，弧形支撑杆与连接杆一一对应，且弧形支撑杆的一端与对应的连接杆的一端连接；两个弧形支撑杆的内部各设置有若干朝向圆心的支架，所述支架均包括相互连接的承载段和限位段，限位段的自由端与弧形支撑杆连接，且限位段的上端面高于承载段的上端面；弧形支撑杆的内径大于晶圆的直径，承载段的自由端到圆心的距离小于晶圆的半径，承载段的连接端到圆心的距离大于晶圆的半径。

优选的，承载段和限位段一体成型。

优选的，连接杆的长度为4-10mm。

优选的，弧形支撑杆的内径为153-159mm，圆心角为120-150°。

优选的，承载段的长度为2.5-3mm，承载段的厚度为3-5mm，限位段的长度为3-5mm，限位段的上端面比承载段的上端面高出0.8-1.3mm。

优选的，两个弧形支撑杆上均设置有2个支架，当然，支架的数量可以根据需要进行调整。

优选的，每个弧形支撑杆上的两个支架之间的夹角α为90°，这个角度可以更好地支撑晶圆，并且可以避免晶圆滑落。当然，支架的位置可以根据需要进行调整。

优选的，连接段和支撑段均采用陶瓷或铝合金制成。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

(1)将现有传输臂与晶圆中间位置接触的方式改为与晶圆的边缘位置进行接触，并且采用支架与晶圆边缘进行接触，减小了接触面积，边缘温度变化较小，有效提高了三五族化合物晶圆上镀膜的均匀性，避免出现传输臂在三五族化合物晶圆中间留下镀膜阴影的情况；

(2)支架的承载段和限位段形成台阶型，在使用过程中，晶圆与承载段接触，周围的限位段可以对晶圆进行限位，防止晶圆传输过程中滑动；