[实用新型]一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂有效
| 申请号: | 201721270303.0 | 申请日: | 2017-09-29 |
| 公开(公告)号: | CN207418859U | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
| 发明(设计)人: | 周华芳 | 申请(专利权)人: | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/46 |
| 代理公司: | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 徐丰;张巨箭 |
| 地址: | 610029 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 弧形支撑杆 传输臂 晶圆 限位段 支架 化合物半导体 镀膜均匀性 族化合物 承载段 连接段 连接杆 上端面 支撑段 镀膜 半导体制造设备 本实用新型 边缘位置 对称设置 晶圆边缘 一端连接 圆心 均匀性 同圆心 自由端 减小 平行 阴影 | ||
1.一种改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂,其特征在于,包括连接段和支撑段,连接段包括两个相互平行的连接杆,支撑段包括两个对称设置且同圆心的弧形支撑杆,弧形支撑杆与连接杆一一对应,且弧形支撑杆的一端与对应的连接杆的一端连接;两个弧形支撑杆的内部各设置有若干朝向圆心的支架,所述支架均包括一体成型的承载段和限位段,承载段和限位段均为长方体型,且承载段和限位段的宽度相同,且两者的下端面齐平,左端面齐平,右端面齐平;限位段的自由端与弧形支撑杆连接,且限位段的上端面高于承载段的上端面;弧形支撑杆的内径大于晶圆的直径,承载段的自由端到圆心的距离小于晶圆的半径,承载段的连接端到圆心的距离大于晶圆的半径。
2.根据权利要求1所述的改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂,其特征在于,所述连接杆的长度为4-10mm。
3.根据权利要求1所述的改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂,其特征在于,所述弧形支撑杆的内径为153-159mm,圆心角为120-150°。
4.根据权利要求1所述的改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂,其特征在于,所述承载段的长度为2.5-3mm,承载段的厚度为3-5mm,限位段的长度为3-5mm,限位段的上端面比承载段的上端面高出0.8-1.3mm。
5.根据权利要求1所述的改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂,其特征在于,两个所述弧形支撑杆上均设置有2个支架。
6.根据权利要求5所述的改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂,其特征在于,每个弧形支撑杆上的两个支架之间的夹角为90°。
7.根据权利要求1所述的改善化合物半导体设备镀膜均匀性的新型传输臂,其特征在于,所述连接段和支撑段均采用陶瓷或铝合金制成。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





