[实用新型]一种硅片自动涂源生产线有效
| 申请号: | 201721239474.7 | 申请日: | 2017-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN207398080U | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
| 发明(设计)人: | 董文一;魏文博;钟瑜;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;甄辉;齐风;李亚哲;黄志焕;王晓捧;王宏宇;王鹏;徐艳超 | 申请(专利权)人: | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
| 地址: | 300380 天津市西青区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硅片 自动 生产线 | ||
本实用新型提供一种硅片自动涂源生产线,包括涂硼装置、第一烘干炉、涂磷装置、第二烘干炉和洒粉单元,涂硼装置与第一烘干炉之间、第一烘干炉与涂磷装置之间、涂磷装置与第二烘干炉之间、第二烘干炉与洒粉单元之间均设有第一转运机械手,第一烘干炉的下游一端设有硅片翻转机构。该硅片自动涂源生产线自动化程度高,硅片涂源的多个过程自动进行,无需配备大量专人人工操作,失误率低,涂敷效率高,涂料均匀,产品合格率高。
技术领域
本实用新型属于硅片生产设备领域,尤其是涉及一种硅片自动涂源生产线。
背景技术
随着半导体行业的迅速发展,半导体硅片产能日趋扩大。半导体硅片制作过程中需要对硅片涂覆扩散源,以形成PN结,而现有技术中,多使用手动涂覆的方法完成,由于硅片生产时会涉及到多种作业流程,导致产品效率与质量都有待提高,目前手动涂敷的操作方法存在:人工作业失误率高;需配备专人进行操作;手动涂敷效率低的问题,因此,为解决人工涂敷造成的涂料不均匀质量问题,需求一种自动化设备实现圆形硅片自动涂敷功能,使硅片进行均匀涂敷,避免由于人员问题造成的不合格产品,实现稳定高效产出。
发明内容
本实用新型要解决的问题是提供一种硅片自动涂源生产线,硅片扩散源的涂覆自动化程度高,产品合格率高,生产效率高。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案是:一种硅片自动涂源生产线,包括涂硼装置、第一烘干炉、涂磷装置、第二烘干炉和洒粉单元,涂硼装置与第一烘干炉之间、第一烘干炉与涂磷装置之间、涂磷装置与第二烘干炉之间、第二烘干炉与洒粉单元之间均设有第一转运机械手,第一烘干炉的下游一端设有硅片翻转机构。
技术方案中,优选的,还包括上料线,上料线与涂硼装置之间设有第二转运机械手,上料线包括满载上料线、第一硅片承载装置翻转机构和空载流出线,第一硅片承载装置翻转机构设于满载上料线的下游一端。
技术方案中,优选的,还包括下料线,下料线与洒粉单元之间设有第三转运机械手,下料线包括空载流入线、满载流出线和第二硅片承载装置翻转机构,空载流入线的下游一端与满载流出线的上游一端之间设有移动轴,第二硅片承载装置翻转机构可移动设于移动轴上。
技术方案中,优选的,涂硼装置包括第一机台、第一喷嘴、第一托盘、第一升降机构和第一旋转机构,第一托盘底部与第一升降机构的升降轴连接,第一升降机构的底部与第一旋转机构的旋转轴连接,第一旋转机构固定于第一机台上,第一喷嘴设于第一托盘上方。
技术方案中,优选的,涂磷装置包括第二机台、第二喷嘴、第二托盘、第二升降机构和第二旋转机构,第二托盘底部与第二升降机构的升降轴连接,第二升降机构的底部与第二旋转机构的旋转轴连接,第二旋转机构固定于第二机台上,第二喷嘴设于第二托盘上方。
技术方案中,优选的,洒粉单元包括第三机台、第三托盘、第三升降机构和震动洒粉单元,第三升降机构设于第三机台上,第三升降机构的升降轴与第三托盘底部连接,震动洒粉单元设于第三托盘上方。
技术方案中,优选的,第一烘干炉包括第一炉体和第一传送带,第一传送带设于第一炉体内,第一炉体上设有第一送风马达和第一排风马达。
技术方案中,优选的,第二烘干炉包括第二炉体和第二传送带,第二传送带设于第二炉体内,第二炉体上设有第二送风马达和第二排风马达。
技术方案中,优选的,涂硼装置与上料线之间还设有第一碎片筛选装置,第一碎片筛选装置包括来料提升机、第一光源、第一图像采集装置和第一碎片收集盒,来料提升机设于花篮翻转机构翻转之后下游一端,来料提升机与第一碎片收集盒之间设有第四转运机械手。
技术方案中,优选的,硅片翻转机构与涂磷装置之间还设有第二碎片筛选装置,第二碎片筛选装置包括第二光源、第二图像采集装置和第二碎片收集盒,硅片翻转机构与第二碎片收集盒之间设有第五转运机械手。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





