[实用新型]一种多晶硅还原炉

说明书

本实用新型提供一种多晶硅还原炉，包括冷却水进口(1)、炉体(2)、冷却层(3)、硅棒(4)、电极(5)、进料喷嘴(6)、冷却水出口(7)、底座(8)、轴承(9)、滑扣(10)、方形槽(11)、圆形槽(12)，其特征在于：所述炉体(2)顶部设有冷却水进口(1)，底部一侧设有冷却水出口(7)，所述炉体(2)内侧设有冷却层(3)，冷却层(3)中通入循环冷却水，所述炉体(2)置于底座(8)上，底座(8)中心设有电极(5)，电极(5)上设有硅棒(4)，电极(5)内部设有方形槽(11)和圆形槽(12)，方形槽(11)设于圆形槽(12)上方，硅棒(4)底部设有轴承(9)，轴承(9)连接滑扣(10)，电极(5)四周等距离设置若干进料喷嘴(6)。

技术领域

本实用新型涉及多晶硅生产技术领域，特别是指一种多晶硅还原炉。

背景技术

多晶硅还原炉内部发生的反应主要是：经过加热汽化后的H2和SiHCl3气体按照一定的摩尔比在进入还原炉内，在硅芯表面进行一段时间的气相沉积反应生成多晶硅棒，产生SiCl4、SiH2Cl2及HCl等副产物。硅芯在沉积生长的过程中，由于诸多原因造成炉内硅棒重心发生偏移或操作不当导致多晶硅棒在炉内最终倒塌断裂，还原炉倒棒将会对设备产生严重的损坏，同时也将提高设备对多晶硅产品的污染；炉体内反应产生的高温容易损坏炉体内壁，另外炉体内壁温度相对高于多晶硅还原沉积温度，会导致反应生成的多晶硅沉积于炉体内壁表面；还原炉内进料的不均匀，会使炉内气场产生浓度梯度，硅棒自下而上发生的沉积反应不同，出现硅棒上部较粗下部较细的状况。

实用新型内容

本实用新型公开了一种多晶硅还原炉，解决了硅棒容易倾倒、炉体内壁温度过高、硅棒沉积不均匀的问题。

本实用新型是通过以下技术方案实现的：

一种多晶硅还原炉，包括冷却水进口、炉体、冷却层、硅棒、电极、进料喷嘴、冷却水出口、底座、轴承、滑扣、方形槽、圆形槽，所述炉体顶部设有所述冷却水进口，底部一侧设有所述冷却水出口，所述炉体内侧设有所述冷却层，所述冷却层中通入循环冷却水，所述炉体置于所述底座上，所述底座中心设有所述电极，所述电极上设有所述硅棒，所述电极内部设有所述方形槽和圆形槽，所述方形槽设于所述圆形槽上方，所述硅棒底部设有所述轴承，所述轴承连接所述滑扣，所述滑扣可以旋转，所述电极四周等距离设置若干所述进料喷嘴，所述进料喷嘴穿过所述底座。

优选的，所述滑扣的体积略小于所述方形槽的体积，所述滑扣的厚度略小于所述圆形槽的厚度。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、本实用新型硅棒与电极的连接设计，使得硅棒牢牢的固定在电极上，不会出现倾倒的情况，保证了还原系统能够安全、保质保量的运行。

2、本实用新型的冷却层对炉体内壁有降温作用，避免了炉内热量对炉体内壁造成损害，使得炉体内壁的温度相对低于多晶硅还原沉积温度，避免了在内壁上沉积多晶硅。

3、本实用新型的进料喷嘴围绕电极等距离分布，可以保证均匀进料，使得沉积更加有效，生成的硅棒厚度均匀。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型电极与硅棒连接结构示意图；

图3是本实用新型电极的俯视图；

图4是本实用新型底座的俯视图；

图中：1、冷却水进口；2、炉体；3、冷却层；4、硅棒；5、电极；6、进料喷嘴；7、冷却水出口；8、底座；9、轴承；10、滑扣；11、方形槽；12、圆形槽。