[实用新型]一种集成电路半导体器件成批生产的半成品结构有效
| 申请号: | 201721232461.7 | 申请日: | 2017-09-22 |
| 公开(公告)号: | CN207353239U | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
| 发明(设计)人: | 黄泽军 | 申请(专利权)人: | 深圳市锐骏半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/60 |
| 代理公司: | 深圳茂达智联知识产权代理事务所(普通合伙) 44394 | 代理人: | 胡慧 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 集成电路 半导体器件 成批生产 半成品 结构 | ||
1.一种集成电路半导体器件成批生产的半成品结构,其结构包括定位孔(1)、引线组(2)、集成半导体器件(3)、框架(4);
所述的框架(4)为矩形结构表面中心位置等距设有引线组(2),所述的引线组(2)和框架(4)采用过盈配合,所述的引线组(2)上下两端设有定位孔(1),所述的定位孔(1)和框架(4)为一体化结构,所述的引线组(2)左右两侧设有集成半导体器件(3),所述的集成半导体器件(3)和扣合固定在框架(4)表面上,其特征在于:
所述的集成半导体器件(3)由导热板(301)、封装壳体(302)、引脚(303)组成,所述的封装壳体(302)首尾两端设有导热板(301),所述的导热板(301)扣合固定在封装壳体(302)外壁凹槽上,所述的封装壳体(302)左右两侧并排等距设有引脚(303),所述的引脚(303)和封装壳体(302)采用过盈配合;
所述的引脚(303)由导电防护焊接层(30301)、金属支架(30302)、固定接块(30303)、导电焊接块(30304)组成;
所述的金属支架(30302)表面上设有导电防护焊接层(30301),所述的导电防护焊接层(30301)和金属支架(30302)相焊接,所述的金属支架(30302)前端设有固定接块(30303),所述的固定接块(30303)和金属支架(30302)为一体化结构,所述的金属支架(30302)通过固定接块(30303)与导电焊接块(30304)连接。
2.根据权利要求1所述的一种集成电路半导体器件成批生产的半成品结构,其特征在于:所述的导热板(301)由拼接凸块(30101)、吸热片(30102)、散热片(30103)组成。
3.根据权利要求2所述的一种集成电路半导体器件成批生产的半成品结构,其特征在于:所述的吸热片(30102)表面上并排等距设有散热片(30103),所述的散热片(30103)和吸热片(30102)为一体化结构,所述的吸热片(30102)顶部中心位置设有拼接凸块(30101),所述的拼接凸块(30101)为矩形和吸热片(30102)相焊接。
4.根据权利要求1所述的一种集成电路半导体器件成批生产的半成品结构,其特征在于:所述的封装壳体(302)由吸热盘(30201)、环氧树脂封装框架(30202)、导电金线(30203)、导热银浆层(30204)、芯片焊接盘(30205)组成。
5.根据权利要求4所述的一种集成电路半导体器件成批生产的半成品结构,其特征在于:所述的环氧树脂封装框架(30202)内部中心位置设有吸热盘(30201),所述的吸热盘(30201)为矩形结构并扣合固定在环氧树脂封装框架(30202)上,所述的吸热盘(30201)表面上设有导热银浆层(30204),所述的导热银浆层(30204)和吸热盘(30201)采用过盈配合,所述的吸热盘(30201)通过导热银浆层(30204)与芯片焊接盘(30205)连接,所述的芯片焊接盘(30205)为矩形结构并表面上均匀等距设有六根导电金线(30203),所述的导电金线(30203)和芯片焊接盘(30205)相焊接。
6.根据权利要求1所述的一种集成电路半导体器件成批生产的半成品结构,其特征在于:所述的引脚(303)通过导电焊接块(30304)与导电金线(30203)连接。
7.根据权利要求1所述的一种集成电路半导体器件成批生产的半成品结构,其特征在于:所述的导热板(301)通过拼接凸块(30101)扣合固定在吸热盘(30201)上。
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