[实用新型]一种双外延超级势垒整流器

说明书

本实用新型公开了一种双外延超级势垒整流器，其特征在于：包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第一导电类型第二外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基接触区和上电极层。所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上。所述第一导电类型第二外延层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述第二导电类型体区覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上的部分表面。所述肖特基接触区覆盖于第二导电类型体区之上的部分表面。所述栅介质层覆盖于第一导电类型第二外延层之上的部分表面和第二导电类型体区之上的部分表面。所述栅电极层覆盖于栅介质层之上。

技术领域

本实用新型涉及功率半导体电力电子器件技术领域，具体是一种双外延超级势垒整流器。

背景技术

功率半导体整流器，广泛应用于功率转换器和电源中。常规超级势垒整流器，在阳极和阴极之间整合并联的整流二极管和MOS晶体管来形成具有较低导通压降、合理漏电水平、较稳定高温性能的整流器件，其在100V以下的应用中具有明显的竞争优势。

现有技术中的典型超级势垒整流器包括常规结构超级势垒整流器和肖特基接触超级势垒整流器。结构中由于寄生整流二极管的形成，其P-body之间存在较明显的JFET效应。

现有技术中提出的带有N型增强层的肖特基接触超级势垒整流器结构，能够消除部分JFET效应，但是，其高浓度薄层N区的形成工艺比较难以控制，并且由于增加了输出电容，其反向恢复时间明显增加。

实用新型内容

本实用新型的目的是解决现有技术中存在的问题，提供一种双外延超级势垒整流器。

为实现本实用新型目的而采用的技术方案是这样的，一种双外延超级势垒整流器，其特征在于：包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第一导电类型第二外延层、第二导电类型体区、栅介质层、栅电极层、肖特基接触区和上电极层。

所述重掺杂第一导电类型衬底层覆盖于下电极层之上。

所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上。

所述第一导电类型第二外延层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上；

所述第二导电类型体区覆盖于轻掺杂第一导电类型第二外延层之上的部分表面。

所述肖特基接触区覆盖于第二导电类型体区之上的部分表面。

所述栅介质层覆盖于第一导电类型第二外延层之上、第二导电类型体区之上的部分表面、肖特基接触区之上的部分表面；

所述栅电极层覆盖于栅介质层之上；

所述上电极层覆盖于栅电极层和肖特基接触区之上的部分表面。

一种双外延超级势垒整流器，其特征在于：包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第一导电类型第二外延层、第二导电类型体区、重掺杂第二导电类型源区、重掺杂第一导电类型源区、栅介质层、栅电极层和上电极层。

所述重掺杂第一导电类型衬底层覆盖于下电极层之上。

所述轻掺杂第一导电类型外延层覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层之上。

所述第一导电类型第二外延层覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层之上；

所述第二导电类型体区覆盖于第一导电类型第二外延层之上的部分表面；

所述重掺杂第二导电类型源区和重掺杂第一导电类型源区均覆盖于第二导电类型体区之上的部分表面。

所述栅介质层覆盖于第一导电类型第二外延层之上的部分表面和第二导电类型体区之上的部分表面。