[实用新型]一种双外延超级势垒整流器有效
| 申请号： | 201721207222.6 | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN207517702U | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 黄彬;陈文锁;张培健;刘建;王飞;欧宏旗;钟怡 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心 50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 外延层 导电类型 轻掺杂 体区 覆盖 栅介质层 肖特基接触 栅电极层 衬底层 整流器 重掺杂 势垒 本实用新型 下电极层 电极层 | ||
1.一种双外延超级势垒整流器，其特征在于：包括下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、轻掺杂第一导电类型外延层(30)、第一导电类型第二外延层(31)、第二导电类型体区(32)、栅介质层(41)、栅电极层(42)、肖特基接触区(43)和上电极层(50)；
所述重掺杂第一导电类型衬底层(20)覆盖于下电极层(10)之上；
所述轻掺杂第一导电类型外延层(30)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(20)之上；
所述第一导电类型第二外延层(31)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上；
所述第二导电类型体区(32)覆盖于轻掺杂第一导电类型第二外延层(31)上的部分表面；
所述肖特基接触区(43)覆盖于第二导电类型体区(32)之上的部分表面；
所述栅介质层(41)覆盖于第一导电类型第二外延层(31)之上、第二导电类型体区(32)之上的部分表面、肖特基接触区(43)之上的部分表面；
所述栅电极层(42)覆盖于栅介质层(41)之上；
所述上电极层(50)覆盖于栅电极层(42)和肖特基接触区(43)之上的部分表面。
2.一种双外延超级势垒整流器，其特征在于：包括下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、轻掺杂第一导电类型外延层(30)、第一导电类型第二外延层(31)、第二导电类型体区(32)、重掺杂第二导电类型源区(33)、重掺杂第一导电类型源区(34)、栅介质层(41)、栅电极层(42)和上电极层(50)；
所述重掺杂第一导电类型衬底层(20)覆盖于下电极层(10)之上；
所述轻掺杂第一导电类型外延层(30)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(20)之上；
所述第一导电类型第二外延层(31)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上；
所述第二导电类型体区(32)覆盖于第一导电类型第二外延层(31)之上的部分表面；
所述重掺杂第二导电类型源区(33)和重掺杂第一导电类型源区(34)均覆盖于第二导电类型体区(32)之上的部分表面；
所述栅介质层(41)覆盖于第一导电类型第二外延层(31)之上的部分表面、第二导电类型体区(32)之上的部分表面、重掺杂第一导电类型源区(34)之上的部分表面；
所述栅电极层(42)覆盖于栅介质层(41)之上；
所述上电极层(50)覆盖于栅电极层(42)、重掺杂第二导电类型源区(33)之上，所述上电极层(50)还覆盖于重掺杂第一导电类型源区(34)之上的部分表面。
3.根据权利要求1或2所述的一种双外延超级势垒整流器，其特征在于：还包括第二导电类型保护环及结终端区，所述第二导电类型保护环及结终端区为闭合状的环形结构；环形包围的中间区域为有源区。
4.根据权利要求3所述的一种双外延超级势垒整流器，其特征在于：所述第二导电类型体区(32)由一个或多个重复的结构单元构成；所述第二导电类型体区(32)位于有源区内部，位于有源区边缘的结构单元与所述第二导电类型保护环及结终端区可以接触，也可以不接触。
5.根据权利要求1或2所述的一种双外延超级势垒整流器，其特征在于：所述栅介质层(41)的材料包括二氧化硅材料或者氮氧化硅；所述栅电极层(42)的材料包括掺杂多晶硅。
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