[实用新型]晶圆及其晶圆允收测试结构有效
申请号: | 201721198688.4 | 申请日: | 2017-09-19 |
公开(公告)号: | CN207367924U | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
发明(设计)人: | 徐俊杰 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 侯莉;毛立群 |
地址: | 300385*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 及其 晶圆允收 测试 结构 | ||
1.一种晶圆允收测试结构,其特征在于,用于设置在晶圆的切割道上,
以测量所述晶圆上集成电路的若干待测电阻的阻值,所述晶圆允收测试结构包括:
第一共用测试焊垫;
若干第一电连接结构,所述第一电连接结构的一端与所述第一共用测试焊垫电连接,所述若干待测电阻用于分别与若干所述第一电连接结构的另一端电连接;
第二共用测试焊垫;
若干第二电连接结构,所述第二电连接结构的一端与所述第二共用测试焊垫电连接,所述若干待测电阻用于分别与若干所述第二电连接结构的另一端电连接;
若干第一独用测试焊垫;
若干第三电连接结构,若干所述第三电连接结构的一端分别与若干所述第一独用测试焊垫电连接、另一端分别用于与所述若干待测电阻电连接;
若干第二独用测试焊垫;
若干第四电连接结构,若干所述第四电连接结构的一端分别与若干所述第二独用测试焊垫电连接、另一端分别用于与所述若干待测电阻电连接。
2.如权利要求1所述的晶圆允收测试结构,其特征在于,所述第一共用测试焊垫、第二共用测试焊垫、第一独用测试焊垫、第二独用测试焊垫位于同一层。
3.如权利要求1所述的晶圆允收测试结构,其特征在于,所述第一共用测试焊垫、第二共用测试焊垫、第一独用测试焊垫、第二独用测试焊垫为铜焊垫。
4.如权利要求1所述的晶圆允收测试结构,其特征在于,所述第一电连接结构、第二电连接结构、第三电连接结构、第四电连接结构均包括若干层互连线以及若干插塞,相邻两层所述互连线通过之间的插塞电连接。
5.如权利要求1至4任一项所述的晶圆允收测试结构,其特征在于,
所述第一共用测试焊垫的数量为一个。
6.如权利要求1至4任一项所述的晶圆允收测试结构,其特征在于,
所述第二共用测试焊垫的数量为一个。
7.如权利要求1至4任一项所述的晶圆允收测试结构,其特征在于,
所述第一独用测试焊垫的数量不少于十一个。
8.如权利要求1至4任一项所述的晶圆允收测试结构,其特征在于,
所述第二独用测试焊垫的数量不少于十一个。
9.一种晶圆,其特征在于,包括:
集成电路,所述集成电路内需要测量电阻值的若干功能元件作为待测电阻;
权利要求1至8任一项所述的晶圆允收测试结构,至少部分位于所述晶圆的切割道上,所述切割道位于所述集成电路的外围,在所述晶圆允收测试结构中:
若干所述第一电连接结构的另一端分别与所述若干待测电阻电连接;
若干所述第二电连接结构的另一端分别与所述若干待测电阻电连接;
若干所述第三电连接结构的另一端分别与所述若干待测电阻电连接;
若干所述第四电连接结构的另一端分别与所述若干待测电阻电连接。
10.如权利要求9所述的晶圆,其特征在于,所述若干待测电阻为有源区、栅极、接触孔、通孔、互连线中的至少一个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造