[实用新型]喷嘴清洗装置及晶圆清洗装置有效
| 申请号: | 201721193371.1 | 申请日: | 2017-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN207357663U | 公开(公告)日: | 2018-05-15 |
| 发明(设计)人: | 王春峰 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | B08B3/02 | 分类号: | B08B3/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人: | 侯莉;毛立群 |
| 地址: | 300385*** | 国省代码: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 喷嘴 清洗 装置 | ||
本实用新型提供一种喷嘴清洗装置,包括清洗槽、所述清洗槽上表面设置有开口;设置在所述清洗槽至少一侧面的冲洗管,所述冲洗管的出液管口朝向所述喷嘴;设置在所述清洗槽至少一侧面的进口,所述进口连接所述冲洗管。所述喷嘴清洗装置可以自动清洗喷嘴,不用人工干预,节省人工成本。
技术领域
本实用新型涉及一种半导体工艺装置,尤其涉及一种喷嘴清洗装置及晶圆清洗装置。
背景技术
在集成电路工艺制造中,晶体三极管、二极管、电容、电阻以及金属层的各种物理部件在晶圆表面或表层内构成。这些部件通过光刻工艺过程,最终在晶圆上保留特征图形的部分。光刻工艺(Lithographic Process)生产的目标是根据电路设计的要求,生成尺寸精确的特征图形,并且在晶圆表面的位置正确且与其它部件(parts)的关联正确。
在光刻掩膜形成的步骤中,需要对晶圆或掩膜上涂抹一层物质,如光刻胶等,然后对晶圆进行下一步处理,光刻胶显影后晶圆表面会留有残留物质,通常是采用喷嘴对晶圆进行冲洗,现有技术中的喷嘴为长条形结构或圆柱形结构,包括外部固定装置和多个的喷头,所述外部固定装置固定设置所述喷头上。在清洗的步骤中,将所述喷嘴对准晶圆,匀速运动的同时进行旋转、冲洗。然而,在长时间使用后,所述喷嘴的喷头中会有很多残留物,残留物会阻塞喷头,使残留物喷射到晶圆上,在旋转作用下,残留物以近似环状分布在晶圆表面上,在晶圆上形成环状残留缺陷(如图1所示),对后续工艺造成影响,甚至损坏晶圆。
为了保证光刻步骤的顺利进行,需要定期清洁喷嘴。普通的清洗可以是直接对喷嘴进行擦拭,不需拆卸喷嘴,但长时间使用后,擦洗不到的污垢长期堆积在喷嘴内部,这时普通的擦拭就不能彻底清洗喷嘴了,就需要必要的清洗,现有技术中是将喷嘴从固定装置上全部拆卸下来,再将喷嘴放到清洗池中用化学物质进行清洗,达到彻底清除喷嘴上的污垢。
然而,现有技术中拆卸喷嘴、清洗喷嘴的清洗步骤会产生以下几个问题:1、安装喷嘴的工序非常复杂,每次清洗都要拆卸和重新安装,故清洗过程浪费时间,降低效率;2、所述喷嘴的喷头非常脆弱,在拆卸安装的过程中非常容易收到损坏;3、所述喷嘴安装到固定装置时需要对准安装基线,由于安装工序复杂,会造成固定装置没有对准基线,一旦没有对准,就会使所述喷嘴的喷出的物质不均匀,影响后续工艺,甚至造成损失。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是,提供一种在清洗喷嘴过程中不需要拆卸就可以自动清洗喷嘴的装置。
为解决上述问题,本实用新型提供一种喷嘴清洗装置,包括清洗槽、所述清洗槽上表面设置有开口;设置在所述清洗槽至少一侧面的冲洗管,所述冲洗管的出液管口朝向所述喷嘴;设置在所述清洗槽至少一侧面的进口,所述进口连接所述冲洗管。
可选地,所述喷嘴清洗装置的进口中通入有去离子水和保护气体。
可选地,所述进口包含第一区和至少部分设置于所述第一区内的第二区。
可选地,所述冲洗管的喷射方向与水平方向的夹角为5度-20度。
可选地,所述进口还包含第一入口、第二入口,通过所述第一入口向所述清洗槽通入所述去离子水,通过所述第二入口向所述清洗槽通入所述保护气体。
可选地,所述喷嘴清洗装置还包括流量控制装置,所述流量控制装置用于控制所述保护气体及所述去离子水的流量。
可选地,所述清洗槽上表面的开口面积占所述清洗槽上表面面积的5%-50%。
可选地,所述清洗槽长度为20cm-40cm,宽度为8cm-15cm,高度为10-30cm。
可选地,所述清洗槽的材料为不锈钢。
可选地,所述喷嘴清洗装置上还设置有固定装置,所述固定装置用于将所述喷嘴固定在所述清洗装置上。
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