[实用新型]二极管、功率器件及电力电子设备有效
| 申请号： | 201721182764.2 | 申请日： | 2017-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN207303113U | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 曾丹 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 功率 器件 电力 电子设备 | ||
1.一种二极管，其特征在于，包括：
第一导电型半导体衬底；
位于所述第一导电型半导体衬底第一侧的第一导电型半导体外延层；
位于所述第一导电型半导体外延层远离所述第一导电型半导体衬底一侧的第二导电型半导体；
位于所述第一导电型半导体衬底第二侧的电阻层；
位于所述电阻层远离所述第一导电型半导体衬底一侧的第一金属层。
2.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述电阻层覆盖所述第一导电型半导体衬底的第二侧表面。
3.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述电阻层覆盖所述第一导电型半导体衬底的第二侧表面的部分区域。
4.如权利要求3所述的二极管，其特征在于，所述电阻层包括阵列排布的多个电阻单元。
5.如权利要求4所述的二极管，其特征在于，所述电阻单元在所述第一导电型半导体衬底上的正投影的形状包括圆形、方形或多边形。
6.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述电阻层与所述第一导电型半导体衬底位于同一物理结构层。
7.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，所述电阻层与所述第一导电型半导体衬底位于不同物理结构层。
8.如权利要求7所述的二极管，其特征在于，所述电阻层至少为两层。
9.如权利要求7或8所述的二极管，其特征在于，所述电阻层的材质类型包括非晶硅层、氧化物半导体层或掺杂多晶硅层。
10.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，
所述第一导电型半导体衬底为N型半导体衬底，所述第一导电型半导体外延层为N型半导体外延层；
所述第二导电型半导体为P型半导体。
11.如权利要求1所述的二极管，其特征在于，还包括耐压终端结构，所述耐压终端结构位于所述第一导电型半导体外延层远离所述第一导电型半导体衬底的一侧，且环绕所述第二导电型半导体设置。
12.一种功率器件，其特征在于，包括如权利要求1～11任一项所述的二极管。
13.一种电力电子设备，其特征在于，包括如权利要求12所述的功率器件。
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