[实用新型]显示装置

说明书

本实用新型涉及显示装置。本实用新型要解决的课题为能够在同一基板内形成LTPSTFT和氧化物半导体TFT。解决手段为一种显示装置，其为在基板(100)上形成有具有氧化物半导体层(102)的第一TFT、和具有Poly‑Si层(106)的第二TFT的显示装置，显示装置的特征在于，在基板(100)上形成基膜(101)，在基膜(101)上方形成氧化物半导体层(102)，在氧化物半导体层(102)上方形成第一层间绝缘膜(105)，在所述第一层间绝缘膜(105)上方形成所述Poly‑Si层(106)。

技术领域

本实用新型涉及显示装置，且涉及使用混合式(hybrid)结构(其利用使用结晶性硅(Poly-Si多晶硅)的TFT和使用氧化物半导体的TFT 这两者)的显示装置。

背景技术

对于液晶显示装置而言，其构成为：具有TFT基板，与TFT基板相对地配置的对置基板，并在TFT基板与对置基板之间夹持液晶，所述TFT基板中具有像素电极及薄膜晶体管(TFT)等的像素以矩阵状形成。并且，按每个像素来控制利用液晶分子的光的透过率，从而形成图像。另一方面，有机EL显示装置通过在各像素中配置自发光的有机EL层与TFT，从而形成彩色图像。有机EL显示装置由于不需要背光源，因此对于薄型化而言是有利的。

由于LTPS(LowTemperaturePoly-Si：低温多晶硅)迁移率高，因此适合作为驱动电路用TFT。另一方面，氧化物半导体OFF电阻高，若将其用于TFT，则能够减小OFF电流。

专利文献1中记载了，在具有使用LTPS的TFT与使用氧化物半导体的TFT的混合式构成的显示装置中，首先形成利用LTPS的TFT 的构成。对于专利文献1中记载的、利用氧化物半导体的TFT而言，其构成为漏电极与源电极在氧化物半导体的底部(bottom)接触的、所谓的底部接触(bottomcontact)型。需要说明的是，底部接触型存在接触电阻易于变高的问题。

现有技术文献

专利文献

【专利文献1】WO2012-176422

实用新型内容

实用新型要解决的问题

关于作为像素的开关使用的TFT，需要漏电流小。利用氧化物半导体的TFT能够减小漏电流。以下，将氧化物半导体之中的光学透明、且非晶的那些称为TAOS(TransparentAmorphousOxideSemiconductor：透明非晶氧化物半导体)。TAOS包括IGZO(IndiumGalliumZincOxide：氧化铟镓锌)、ITZO(IndiumTinZincOxide：氧化铟锡锌)、ZnON(ZincOxideNitride：氮氧化锌)、IGO(IndiumGalliumOxide：氧化铟镓)等。以下，以TAOS为代表说明氧化物半导体。TAOS的载流子的迁移率小，因此有时难以用使用了TAOS的TFT来形成内置于显示装置内的驱动电路。以下，TAOS也用于指使用了TAOS的TFT 的意思。

另一方面，由LTPS形成的TFT的迁移率大，因此能够通过使用了LTPS的TFT来形成驱动电路。以下，LTPS也用于指使用了LTPS 的TFT的意思。但是，在将LTPS用作像素中的开关TFT的情况下， LTPS的漏电流大，因此，通常将2个LTPS串联使用。

因此，当作为显示区域中的像素的开关元件而使用TAOS，而在周边驱动电路的TFT中使用LTPS时，则是合理的。但是，无论是 LTPS还是TAOS，为了供给信号、电源，均需要在覆盖TFT的绝缘膜中形成通孔。TAOS与LTPS需要在不同的层中形成。若这样的话，用于形成通孔的层数将会不同。

以往，由于LTPS先于TAOS形成，因此通孔的深度在LTPS侧更深。换言之，为形成LTPS的通孔，对TAOS侧的通孔而言将会过蚀刻(overetching)，存在TAOS的漏极及源极通过蚀刻而消失的问题。