[实用新型]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，其为在基板上形成有具有氧化物半导体层的第一TFT、和具有Poly-Si层的第二TFT的显示装置，

所述显示装置的特征在于，在所述基板上形成基膜，在所述基膜的上方形成所述氧化物半导体层，

在所述氧化物半导体层的上方形成第一层间绝缘膜，

在所述第一层间绝缘膜的上方形成所述Poly-Si层。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

所述第一层间绝缘膜由包含SiO层和SiN层的多层形成，

所述SiO层形成在所述氧化物半导体层的上方。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，

在所述Poly-Si层的上方形成第二层间绝缘膜，

贯通所述第二层间绝缘膜与在所述Poly-Si层之上形成的第二栅极绝缘膜而形成第二通孔，第二源漏电极经由所述第二通孔而与所述第二TFT连接，

贯通所述第二层间绝缘膜、所述第二栅极绝缘膜、及所述第一层间绝缘膜而形成第一通孔，第一源漏电极经由所述第一通孔而与所述第一TFT连接。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，

所述第一通孔进一步贯通覆盖所述氧化物半导体的第一栅极绝缘膜，所述第一源漏电极经由所述第一通孔而与所述第一TFT连接。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第一TFT为底栅型TFT。

6.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述第一TFT为顶栅型TFT。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述基膜由包含SiO层的层形成，所述SiO层与所述氧化物半导体接触。

8.一种显示装置，其为在基板上形成有具有氧化物半导体层的第一TFT、和具有Poly-Si层的第二TFT的显示装置，

所述显示装置的特征在于，在所述基板形成基膜，在所述基膜之上形成第一TFT，

在所述氧化物半导体层的上方形成AlO层，覆盖所述AlO层而形成第二基膜，

在所述第二基膜之上形成所述第二TFT。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，在俯视观察时，所述Poly-Si层与所述氧化物半导体层不重叠。

10.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，

在所述第二TFT之上形成第二层间绝缘膜，

贯通所述第二层间绝缘膜与在所述Poly-Si层之上形成的第二栅极绝缘膜而形成第二通孔，第二源漏电极经由所述第二通孔而与所述第二TFT连接，

贯通所述第二层间绝缘膜、所述第二栅极绝缘膜、所述第二基膜、及所述AlO层而形成第一通孔，第一源漏电极经由所述第一通孔而与所述第一TFT连接。

11.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，

所述第二基膜由包含SiO层的层形成，所述SiO层以与所述AlO层接触的方式形成。

12.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述第二基膜由包含SiO层和SiN层的多层形成。

13.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，在所述第一TFT与所述AlO层之间形成有包含SiO层的第一层间绝缘膜。

14.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，

在所述第一TFT与所述AlO层之间形成有包含SiO层的第一层间绝缘膜，所述第一通孔贯通所述第一层间绝缘膜，

所述第一源漏电极经由所述第一通孔而与所述第一TFT连接。