[实用新型]MOS管内阻监测电路

权利要求书

1.一种MOS管内阻监测电路，其特征在于：所述MOS管内阻监测电路包括待测MOS管、电压采样电阻、第一运放单元、第二运放单元、电压比较单元及发光单元；所述待测MOS管的栅极与第一信号输入端相连，所述待测MOS管的漏极与所述电压采样电阻的一端、所述第一运放单元的第一输入端、所述第二运放单元的第一输入端相连，所述待测MOS管的源极与所述第二运放单元的第二输入端相连并通过保护电阻接地；所述电压采样电阻的另一端与所述第一运放单元的第二输入端及第二信号输入端相连；所述第一运放单元的输出端与所述电压比较单元的第一输入端相连，所述第二运放单元的输出端与所述电压比较单元的第二输入端相连，所述电压比较单元的输出端与所述发光单元相连；所述电压采样电阻将其两端的电压信号发送至所述第一运放单元，以实现所述第一运放单元对所述电压采样电阻导通时的压降的采集；所述待测MOS管分别将漏极和源极的电压信号发送至所述第二运放单元，以实现所述第二运放单元对所述待测MOS管的导通时的压降的采集；所述第一运放单元将接收到的电压采样电阻导通时的压降进行差分放大后输出至所述电压比较单元的第一输入端，所述第二运放单元将接收到的待测MOS管的导通时的压降进行差分放大后发送至所述电压比较单元的第二输入端；所述电压比较单元用于将所述第一运放单元的输出电压与所述第二运放单元的输出电压进行比较，并通过所述发光单元显示比较结果，进而确定所述待测MOS管是否符合要求。

2.如权利要求1所述的MOS管内阻监测电路，其特征在于：若所述第一运放单元的输出电压高于所述第二运放单元的输出电压，则所述电压比较单元输出高电平，所述发光单元发光，则判断所述待测MOS管符合要求；若所述第一运放单元的输出电压低于或等于所述第二运放单元的输出电压，则所述电压比较单元输出低电平，所述发光单元不发光，则判断所述待测MOS管不符合要求。

3.如权利要求2所述的MOS管内阻监测电路，其特征在于：所述第一运放单元包括第一运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻及第五电阻；所述第一电阻的一端为所述第一运放单元的第二输入端，所述第一电阻的另一端与所述第一运算放大器的同相输入端相连；所述第二电阻的一端为所述第一运放单元的第一输入端，所述第二电阻的另一端与所述第一运算放大器的反相输入端相连；所述第三电阻的一端与所述第一运算放大器的反相输入端相连，所述第三电阻的另一端接地；所述第四电阻的一端与所述第一运算放大器的同相输入端相连，所述第四电阻的另一端和所述第五电阻的一端与所述第一运算放大器的输出端相连，所述第五电阻的另一端与所述电压比较单元的第一输入端相连。

4.如权利要求3所述的MOS管内阻监测电路，其特征在于：所述第二运放单元包括第二运算放大器、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻及第十电阻；所述第六电阻的一端为所述第一运放单元的第一输入端，所述第六电阻的另一端与所述第二运算放大器的同相输入端相连；所述第七电阻的一端为所述第二运放单元的第二输入端，所述第七电阻的另一端与所述第二运算放大器的反相输入端相连；所述第八电阻的一端与所述第二运算放大器的反相输入端相连，所述第八电阻的另一端接地；所述第九电阻的一端与所述第一运算放大器的同相输入端相连，所述第九电阻的另一端和所述第十电阻的一端及所述第二运算放大器的输出端相连，所述第十电阻的另一端与所述电压比较单元的第二输入端相连。

5.如权利要求4所述的MOS管内阻监测电路，其特征在于：所述电压比较单元包括第三运算放大器，所述第三运算放大器的第一输入端为同相输入端，所述第三运算放大器的第二输入端为反相输入端。

6.如权利要求4所述的MOS管内阻监测电路，其特征在于：所述第一电阻、第二电阻、第六电阻及第七电阻的阻值相等，所述第三电阻的阻值与所述第八电阻的阻值相等，所述第四电阻的阻值与所述第九电阻的阻值相等，所述第五电阻的阻值与所述第十电阻的阻值相等。

7.如权利要求1所述的MOS管内阻监测电路，其特征在于：所述电压采样电阻的阻值为10毫欧。

8.如权利要求6所述的MOS管内阻监测电路，其特征在于：所述保护电阻、第一电阻、第二电阻、第六电阻及第七电阻的阻值为10千欧，所述第三电阻、第四电阻、第五电阻、第八电阻、第九电阻及第十电阻的阻值为1千欧。