[实用新型]下电极滤波盒与静电卡盘的连接装置及等离子设备

说明书

本实用新型提出了一种下电极滤波盒与静电卡盘的连接装置及等离子设备。该连接装置包括：电极铜柱，其一端设有用于容纳静电卡盘电极探针的第一盲孔，所述电极铜柱的另一端设有用于容纳下电极滤波盒插头的第二盲孔；电极探针套，其设置在所述电极铜柱和静电卡盘电极探针的外部，用于将所述静电卡盘电极探针定位在所述第一盲孔中，以使所述静电卡盘电极探针与所述电极铜柱电接触；以及下电极滤波盒插头，其固定在所述下电极滤波盒上，所述下电极滤波盒插头的一端与所述第二盲孔之间接触，从而使所述下电极滤波盒插头与所述电极铜柱电接触。本实用新型保证了各个腔室下电极滤波盒出线端安装的一致性，有利于提高腔室匹配性。

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路制造领域，具体地，涉及一种下电极滤波盒与静电卡盘的连接装置及等离子设备。

背景技术

等离子设备广泛的应用于集成电路(IC)或微机电系统(MEMS)的制造工艺中，其中一个典型的设备就是电感耦合等离子体(ICP)装置。等离子体中含有大量的电子、离子、激发态的原子、分子和自由基等活性粒子，这些活性粒子和衬底相互作用使材料表面发生各种物理和化学反应，从而使材料表面性能获得变化。ICP装置在半导体制造方面能够完成多种工艺，如各向异性、等向性刻蚀和化学气相沉积(CVD)等。

集成电路制造过程中，半导体设备具有多个工艺腔室。这些腔室在生产硅片的过程中需要收集一些硅片的在线测量结果，测量结果需要达到工艺指标，为了保证多个工艺腔室生产出的晶圆片工艺结果一致，就要使工艺腔室匹配。举例来说，对于多晶硅刻蚀设备，主要涉及到的在线测试结果包括关键尺寸(CD)，氧化物残留(ROX)，刻蚀速率(ER)等。由于腔室的接线部件存在差别，以及设备在使用过程中也会存在腔室环境差别，会导致各个不同的腔室的在线测试结果不匹配。因此，在生产、调试和测试机台过程中，为避免由于各腔室的差异问题而造成工艺结果存在较大差异，需要对生产物料管理、机台装配过程、软硬件测试及工艺测试过程严格管控，从而实现机台的工艺结果一致性，即腔室匹配(ChamberMatch)。

机台装配过程中，静电卡盘(ESC)对地电容是一个重要的匹配参数，ESC供电电源通过下电极滤波盒给静电卡盘进行供电，滤波盒的出线端走线路径、方式、线与线之间的距离以及相对位置关系对ESC对地电容影响很大，从而影响工艺结果不稳定及各个腔室之间工艺结果的一致性。因此装配过程中滤波盒出线端到静电卡盘的线安装一致性要求很高，目前各个腔室下电极滤波盒出线端到静电卡盘的接线会存在差异。

现有技术中下电极滤波盒与静电卡盘的连接方式如图1所示，其中附图标记如下：1-工艺腔室、2-静电卡盘，3-电极探针、4-静电卡盘基座、5-滤波盒与静电卡盘连接电缆、6-下电极滤波盒、7-静电卡盘电源，下电极滤波盒6通过电缆与安装在静电卡盘基座4上的电极探针相连接。

这种连接方式的缺点如下：

1、滤波盒与静电卡盘连接电缆5的走线路径在各个腔室中有差异，各个工艺腔室的电缆长度不同，从而静电卡盘对地电容不一致，会导致腔室匹配(chamber match)的问题；

2、通过电缆进行下电极滤波盒6与静电卡盘2的连接会造成射频功率的损耗，影响刻蚀的结果；

3、滤波盒与静电卡盘连接电缆5的不一致会造成静电卡盘放电不完全，工艺结束后会产生粘片等问题。

因此，有必要提出一种保证下电极滤波盒出线端安装一致性，有利于提高腔室匹配性，减少射频功率损失的下电极滤波盒与静电卡盘的连接装置及等离子设备。

公开于本实用新型背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本实用新型的一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种下电极滤波盒与静电卡盘的连接装置及等离子设备，以解决现有技术中各个腔室下电极滤波盒出线端到静电卡盘接线不一致的问题。