[实用新型]一种半导体处理设备

说明书

本实用新型提出了一种半导体处理设备，包括：气体输送部件，其用于输入反应气体；匀流腔，其与所述气体输送部件连接；真空腔室，其与所述匀流腔连通，所述真空腔室内部设置有用于放置晶片的载台；以及喷头，其设置在所述匀流腔和所述真空腔室的连通处；其中，所述喷头上布置气孔，并且所述喷头朝向所述匀流腔的表面为中间凸起的弧面。根据本实用新型的半导体处理设备通过将喷头朝向匀流腔的表面设置为中间凸起的弧面改善了腔室气流均匀性，并且通过在真空腔室内增设匀流挡板进一步进行匀流，改变了气体流场的分布，从而提高了刻蚀均匀性，同时提高了刻蚀速率。

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路制造领域，具体地，涉及一种半导体处理设备。

背景技术

半导体封测其技术的进步主要体现在两个维度：一是芯片的I/O引脚数不断增多，二是芯片的内核面积与封装面积之比越来越高。

当芯片制程进入40nm及以下时，传统的引线键合(wire bonding)和倒装法(flipchip)技术难以实现芯片与外部的连接，而凸块技术(bumping)则能将原来100-200um的中心距(pitch)降低到50-100um，从而成为了先进制程的唯一选择。

凸块技术为目前封装制程中最主要的技术手段，而凸块制程中预处理(descum)设备主要用于残胶去除，通常采用微波+偏压(BIAS)方式，使氧气离化，与光刻胶发生反应，达到去胶目的。其对残胶去除均匀性有一定要求，一般为10％，因此如何控制腔室内气流分布成为满足工艺指标的重要手段之一。

现有技术中所采用的半导体预处理设备如图1所示，其通常由以下部件组成：1-气体输送部件，2-匀流腔，3-喷头，4-载台，5-真空腔室。反应气体通过气体输送部件1进行离化，并进入匀流腔2，在位于匀流腔2下部的喷头3的匀流作用下，经真空腔室5作用于放置在载台4上的晶片表面，完成光刻去除工艺。由于现有技术中喷头3普遍采用气孔均匀分布以及中心进气的方式，如图2所示，晶片刻蚀速率呈现中间速率比边缘快的现象。因此，有必要开发一种能够改善腔室气流均匀性的半导体处理设备。

公开于本实用新型背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本实用新型的一般背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

实用新型内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本实用新型提出了一种半导体处理设备，以改善腔室气流均匀性，进而改善工艺均匀性。

根据本实用新型的半导体处理设备包括：

气体输送部件，其用于输入反应气体；

匀流腔，其与所述气体输送部件连接；

真空腔室，其与所述匀流腔连通，所述真空腔室内部设置有用于放置晶片的载台；以及

喷头，其设置在所述匀流腔和所述真空腔室的连通处；

其特征在于，所述喷头上布置气孔，并且所述喷头朝向所述匀流腔的表面为中间凸起的弧面。

优选地，所述喷头的弧面半径的范围为1320mm～1680mm。

优选地，所述喷头上气孔分布区域的直径为280mm-300mm。

优选地，所述喷头的最外侧气孔处的厚度为所述喷头的中心气孔处的厚度的一半。

优选地，在所述载台的边缘处设置有朝向所述真空腔室的侧壁方向延伸的匀流挡板。

优选地，所述匀流挡板包括搭载在所述载台边缘的圆环部以及朝向所述真空腔室的侧壁方向延伸的延伸部，所述延伸部为锥面结构，其锥面朝向所述喷头所在的一侧。

优选地，所述延伸部的锥面角度为20度。