[实用新型]一种半导体处理设备有效
| 申请号： | 201721149761.9 | 申请日： | 2017-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN207338298U | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 栾大为 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 处理 设备 | ||
1.一种半导体处理设备，包括：
气体输送部件，其用于输入反应气体；
匀流腔，其与所述气体输送部件连接；
真空腔室，其与所述匀流腔连通，所述真空腔室内部设置有用于放置晶片的载台；以及
喷头，其设置在所述匀流腔和所述真空腔室的连通处；
其特征在于，所述喷头上布置气孔，并且所述喷头朝向所述匀流腔的表面为中间凸起的弧面。
2.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述喷头的弧面半径的范围为1320mm～1680mm。
3.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述喷头上气孔分布区域的直径为280mm-300mm。
4.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，所述喷头的最外侧气孔处的厚度为所述喷头的中心气孔处的厚度的一半。
5.根据权利要求1所述的半导体处理设备，其特征在于，在所述载台的边缘处设置有朝向所述真空腔室的侧壁方向延伸的匀流挡板。
6.根据权利要求5所述的半导体处理设备，其特征在于，所述匀流挡板包括搭载在所述载台边缘的圆环部以及朝向所述真空腔室的侧壁方向延伸的延伸部，所述延伸部为锥面结构，其锥面朝向所述喷头所在的一侧。
7.根据权利要求6所述的半导体处理设备，其特征在于，所述延伸部的锥面角度为20度。
8.根据权利要求6所述的半导体处理设备，其特征在于，所述匀流挡板的内径大于所述喷头上气孔分布区域的直径。
9.根据权利要求6所述的半导体处理设备，其特征在于，所述匀流挡板的外周与所述真空腔室的侧壁的径向距离的范围为15mm-20mm。
10.根据权利要求6所述的半导体处理设备，其特征在于，所述匀流档板的外周与所述真空腔室的侧壁的径向距离为所述匀流挡板的下沿与所述真空腔室的上壁的轴向距离的1/3。
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