[实用新型]一种像素排列结构有效
申请号: | 201721111019.9 | 申请日: | 2017-08-31 |
公开(公告)号: | CN207398149U | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | 胡小叙 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 马永芬 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 排列 结构 | ||
本实用新型公开一种像素排列结构,包括若干横向和纵向上重复排布的像素单元,每个像素单元包括横向和纵向分布的像素子单元,至少一个像素子单元包括至少两个单独的同色子像素,至少一个单独的同色子像素与周围像素子单元中的其他子像素构成像素点。本实用新型中的像素排列结构的空间分布均匀,显示效果好,降低了Mask开口制作难度,增加了工艺利润,有利于实现高PPI。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体涉及一种像素排列结构。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)是主动发光器件,目前较为成熟是OLED蒸镀技术,其采用传统的RGB Stripe(RGB条状)排列方式进行蒸镀,其中画面效果最好的是side-by-side(并置)的方式,side-by-side方式是在一个像素(Pixel)范围内有红、绿、蓝(R、G、B)三个子像素(sub-pixel),每个子像素均呈四边形,且各自具有独立的有机发光元器件,它是利用蒸镀成膜技术透过高精细金属掩膜板(Fine Metal Mask,FMM)在array(阵列)基板上相应的像素位置形成有机发光元器件。制作高PPI(Pixel PerInch,点每英寸)OLED屏体的技术重点在于精细及机械稳定性好的高精细金属掩膜板,而高精细金属掩膜板的关键在于像素及子像素的排布结构。
目前现有技术中利用缝(slit)、槽(slot)、Pentile和IGNIS等排布方式,但由于掩模板(Mask)开口面积有规格下限,以及为了避免制作过程受公差(tolerance)的影响,相邻像素的开口之间需要预留间隙(gap)而导致像素密度较低,像素分布不均匀,无法使得PPI得到大幅提升,以及像素排列不是真实意义上的真彩显示等原因。例如:如图1所示,每个像素单元Pixel包括呈直线排列的R(红)子像素101、G(绿)子像素103以及B(蓝)子像素105,R、G、B子像素均为长方形,所有子像素大小相等,且R、G、B子像素的个数比为1:1:1,业界通常将该种像素结构称为Real RGB。这种像素结构通常需要利用蒸镀成膜技术实现,透过高精细金属掩膜版(Fine Metal Mask,FMM)的蒸镀开口,在array(阵列)基板上相应的像素位置上蒸镀上相应颜色的膜,以形成相应颜色的子像素,所述高精细金属掩膜版通常简称为蒸镀掩膜版。
上述的像素结构中,由于像素单元Pixel构成的像素面积较大,而OLED显示面板的总面积固定的情况下,若是像素面积较大则像素个数变少,必然使像素密度(Pixel PerInch,简称PPI)的提高受到限制。再者,FMM一般有最小开口的限制,蒸镀工艺中不同颜色的子像素有开口间距的限制,制备OLED像素结构会不可避免地受到FMM开口以及蒸镀工艺精度的限制,而上述的OLED像素结构中,在其一个像素范围内要安排RGB三个子像素,在像素密度高于300PPI时,目前的FMM工艺实现起来非常困难,故该目前的方式不能很好的解决像素密度提升和降低Mask制作难度的问题。
实用新型内容
因此,本实用新型实施例要解决的技术问题在于该目前的现有技术中不能很好的解决像素密度提升和降低Mask制作难度的问题。
为此,本实用新型实施例提供了如下技术方案:
本实用新型实施例提供一种像素排列结构,包括若干横向和纵向上重复排布的像素单元,每个像素单元包括横向和纵向分布的像素子单元,至少一个像素子单元包括至少两个单独的同色子像素,至少一个所述单独的同色子像素与周围像素子单元中的其他子像素构成像素点。
可选地,所述的像素排列结构,所述像素子单元包括若干单独的同色子像素,所述同色子像素的尺寸相同。
可选地,所述的像素排列结构,所述像素子单元包括四个同色子像素,所述四个同色子像素为两行两列的矩阵分布,每个同色子像素与周围像素子单元中的其他子像素构成像素点。
可选地,所述的像素排列结构,所述像素子单元包括两个同色子像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的