[实用新型]一种像素排列结构有效
| 申请号: | 201721111019.9 | 申请日: | 2017-08-31 |
| 公开(公告)号: | CN207398149U | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
| 发明(设计)人: | 胡小叙 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 马永芬 |
| 地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 像素 排列 结构 | ||
1.一种像素排列结构,包括若干横向和纵向上重复排布的像素单元,其特征在于,每个像素单元包括横向和纵向分布的像素子单元,至少一个像素子单元包括至少两个单独的同色子像素,至少一个所述单独的同色子像素与周围像素子单元中的其他子像素构成像素点。
2.根据权利要求1所述的像素排列结构,其特征在于,所述像素子单元包括若干单独的同色子像素,所述同色子像素的尺寸相同。
3.根据权利要求2所述的像素排列结构,其特征在于,所述像素子单元包括四个同色子像素,所述四个同色子像素为两行两列的矩阵分布,每个同色子像素与周围像素子单元中的其他子像素构成像素点。
4.根据权利要求1或2或3所述的像素排列结构,其特征在于,所述像素子单元包括两个同色子像素。
5.根据权利要求4所述的像素排列结构,其特征在于,所述两个同色子像素的每个同色子像素与周围像素子单元中的其它子像素构成像素点。
6.根据权利要求4所述的像素排列结构,其特征在于,所述两个同色子像素纵向分布,每个子像素被横向相邻的两个像素点共用。
7.根据权利要求4所述的像素排列结构,其特征在于,所述两个同色子像素横向分布,每个子像素被纵向相邻的两个像素点共用。
8.根据权利要求4所述的像素排列结构,其特征在于,每个像素单元包括第一横向依次分布的第一像素子单元、第二像素子单元和第二横向依次分布的第三像素子单元、第四像素子单元,第一像素子单元与第三像素子单元同列,第二像素子单元和第四像素子单元同列。
9.根据权利要求8所述的像素排列结构,其特征在于,第二像素子单元和第三像素子单元为同色像素子单元;或第一像素子单元与第四像素子单元为同色像素子单元。
10.根据权利要求9所述的像素排列结构,其特征在于,所述第一像素子单元、第二像素子单元、第三像素子单元、第四像素子单元分别选自红、绿、蓝中的一种,且至少一种颜色重复。
11.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-10任一项所述的像素排列结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





