[实用新型]一种平行电极组合、功率模块及功率模组有效
申请号: | 201721099621.5 | 申请日: | 2017-08-30 |
公开(公告)号: | CN207381391U | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 徐文辉;王玉林;滕鹤松 | 申请(专利权)人: | 扬州国扬电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L25/16 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 饶欣 |
地址: | 225101 江苏省扬*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 平行 电极 组合 功率 模块 模组 | ||
1.一种平行电极组合,其特征在于:包括第一功率模块电极和第二功率模块电极,第一功率模块电极的焊接部和第二功率模块电极的焊接部分别用于连接功率模块内部的电源铜层,第一功率模块电极的连接部与第二功率模块电极的连接部平行正对。
2.根据权利要求1所述的平行电极组合,其特征在于:所述第一功率模块电极连接部和第二功率模块电极连接部上均设有连接孔。
3.根据权利要求1所述的平行电极组合,其特征在于:所述第一功率模块电极连接部与第二功率模块电极连接部长度不同。
4.根据权利要求2所述的平行电极组合,其特征在于:所述第一功率模块电极连接部的连接孔中具有用于卡合螺帽或者螺栓头部的连接孔,或者第二功率模块电极连接部的连接孔中具有用于卡合螺帽或者螺栓头部的连接孔。
5.采用根据权利要求1所述的平行电极组合的功率模块,其特征在于:包括上半桥基板和下半桥基板,上半桥基板上设有上半桥IGBT芯片和上半桥二极管芯片,下半桥基板上设有下半桥IGBT芯片和下半桥二极管芯片,第一功率模块电极和第二功率模块电极分别作为正负极,此外还包括输出电极;上半桥IGBT芯片开通后的工作电流路径为:工作电流从第一功率模块电极连接部流入,通过绑定线流入上半桥基板,流经上半桥IGBT芯片后通过绑定线流出至输出电极;上半桥IGBT芯片关断后的续流电流路径为:续流电流从第二功率模块电极连接部流入,通过绑定线流入下半桥基板,流经下半桥二极管芯片后通过绑定线流出至输出电极;下半桥IGBT芯片开通后的工作电流路径为:工作电流从第二功率模块电极连接部流入,通过绑定线流入下半桥基板,流经下半桥IGBT芯片后通过绑定线流出至输出电极;下半桥IGBT芯片关断后的续流电流路径为:续流电流从第一功率模块电极连接部流入,通过绑定线流入上半桥基板,流经上半桥二极管芯片后通过绑定线流出至输出电极。
6.采用根据权利要求1所述的平行电极组合的功率模块,其特征在于:包括底部基板和顶部基板,底部基板上设有上半桥芯片和中间基板,中间基板上设有下半桥芯片,第一功率模块电极和第二功率模块电极分别作为正负电极,此外还包括输出电极;工作时,工作电流从第一功率模块电极连接部流入底部基板,流经上半桥芯片后流至顶部基板,再通过输出电极连接部流出;续流时,续流电流从第二功率模块电极连接部流入,通过顶部基板流至下半桥芯片,接着流入中间基板,再流至顶部基板,通过输出电极连接部流出。
7.根据权利要求6所述的功率模块,其特征在于:所述底部基板上表面设有正电极铜层,顶部基板下表面设有分离的负电极铜层和输出电极铜层,上半桥芯片与输出电极铜层之间设有第一连接块,下半桥芯片与负电极铜层之间设有第二连接块,中间基板与输出电极铜层之间还设有连接柱;工作时,工作电流从第一功率模块电极连接部流入,通过正电极铜层流入上半桥芯片,再通过第一连接块流至输出电极铜层,最后由输出电极连接部流出;续流时,续流电流从第二功率模块电极连接部流入,通过负电极铜层流入第二连接块,再流至下半桥芯片,接着流至中间基板,再通过连接柱流入输出电极铜层,最后由输出电极连接部流出。
8.采用根据权利要求1所述的平行电极组合的功率模组,其特征在于:包括具有电容电极组合的电容和具有功率模块电极组合的功率模块,电容电极组合包括平行正对的第一电容电极和第二电容电极,第一电容电极和第二电容电极分别连接电容芯组的正负极,功率模块电极组合为所述平行电极组合,第一功率模块电极连接部和第二功率模块电极连接部能够插入第一电容电极与第二电容电极之间的缝隙中。
9.根据权利要求8所述的功率模组,其特征在于:所述第一电容电极部分凸起,第二电容电极也部分凸起,第一电容电极的凸起与第二电容电极的凸起共同形成容纳腔,且功率模块电极组合的连接部能够插入容纳腔中。
10.根据权利要求8所述的功率模组,其特征在于:所述第一电容电极和第二电容电极均位于电容侧面中间。
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