[实用新型]一种肖特基极结构、肖特基二极管

说明书

本申请提供一种肖特基极结构、肖特基二极管，所述肖特基极结构包括：N型半导体层；第一P型半导体层，覆盖于所述N型半导体层上；第一N型半导体层或半绝缘型半导体层，覆盖于所述第一P型半导体层上。利用本申请各实施例所述的肖特基极结构，可以有效提高二极管的反向耐压值，有效提高了二极管的可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种肖特基极结构、肖特基二极管。

背景技术

肖特基二极管是利用金属与N型半导体接触在交界面形成势垒的二极管。由于肖特基二极管不存在少数载流子在PN结附近积累和消散的过程，所以电容效应非常小，工作速度非常快，特别适合于高频或开关状态应用。

但是，由于肖特基二极管的耗尽区较薄，所以反向击穿电压比较低。现有技术中，在肖特基二极管接反向电压时，阳极金属与N型半导体连接的边缘处，通常会产生边缘端接效应，导致N型半导体与阳极金属边缘的连接处聚集大量正电荷，产生与反向电压产生的电场方向相同的电场，导致势垒区承受的反向电压值增大，将肖特基二极管反向击穿。这就相当于间接降低了肖特基二极管的反向耐压值，降低了肖特基二极管的可靠性，影响肖特基二极管所在电路的正常工作。

现有技术中至少存在如下问题：现有的肖特基二极管在反接的状态下，由于阳极金属与N型半导体的边缘端接效应，在N型半导体与阳极金属边缘的连接处聚集大量正电荷，聚集的正电荷会产生与反向电压产生的电场方向相同的电场，导致势垒区承受的反向电压值增大，将肖特基二极管反向击穿。这就导致间接降低了肖特基二极管的反向耐压值，降低了肖特基二极管的可靠性。

实用新型内容

本申请实施例的目的是提供一种肖特基极结构、肖特基二极管。以有效增加肖特基二极管的击穿电压，提高肖特基二极管的可靠性。

本申请实施例提供一种肖特基极结构、肖特基二极管是这样实现的：

一种肖特基极结构，所述肖特基极结构包括：

N型半导体层；

第一P型半导体层，覆盖于所述N型半导体层上；

第一N型半导体层或半绝缘型半导体层，覆盖于所述第一P型半导体层上。

优选实施例中，所述第一P型半导体层和所述第一N型半导体层或半绝缘型半导体层组合形成异质结半导体层，所述异质结半导体层设置有采用蚀刻工艺形成的贯穿沟道，所述贯穿沟道贯穿至所述第一P型半导体层中，或者贯穿至所述N型半导体层中距离所述N型半导体层上表面100纳米以内的位置。

优选实施例中，所述结构还包括阳极金属，所述阳极金属中间设置有与所述贯穿沟道相匹配的凸起部，所述阳极金属的边缘部分连接在所述第一N型半导体层或半绝缘型半导体层上，所述阳极金属的凸起部穿过所述贯穿沟道连接在所述N型半导体层上。

优选实施例中，所述阳极金属的边缘与所述第一N型半导体层或半绝缘型半导体层接触，所述阳极金属的凸起部的下表面与所述贯穿沟道的底部接触，所述凸起部的侧面与所述贯穿沟道的内壁接触。

优选实施例中，所述贯穿沟道底部设置有P型半导体凸起部，P型半导体凸起部的个数大于等于0。

一种肖特基二极管，包括上述各实施例所述的肖特基极结构，还包括：

高掺杂N型半导体层，设置于所述N型半导体层下，与所述N型半导体接触；

阴极金属，设置于所述高掺杂N型半导体层的上表面，与所述高掺杂N型半导体层接触；

衬底，设置于所述高掺杂N型半导体层下，与所述高掺杂N型半导体层形成欧姆接触。

优选实施例中，所述高掺杂N型半导体层的掺杂浓度高于所述N型半导体层。