[实用新型]一种肖特基极结构、肖特基二极管有效
| 申请号： | 201721082754.1 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN207425866U | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 朱廷刚;张葶葶;李亦衡;王东盛;夏远洋 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基极结构 肖特基二极管 二极管 半导体层 半绝缘型 反向耐压 覆盖 申请 | ||
1.一种肖特基极结构，其特征在于，所述肖特基极结构包括：
N型半导体层；
第一P型半导体层，覆盖于所述N型半导体层上；
第一N型半导体层或半绝缘型半导体层，覆盖于所述第一P型半导体层上。
2.如权利要求1所述的一种肖特基极结构，其特征在于，所述第一P型半导体层和所述第一N型半导体层或半绝缘型半导体层组合形成异质结半导体层，所述异质结半导体层设置有采用蚀刻工艺形成的贯穿沟道，所述贯穿沟道贯穿至所述第一P型半导体层中，或者贯穿至所述N型半导体层中距离所述N型半导体层上表面100纳米以内的位置。
3.如权利要求2所述的一种肖特基极结构，其特征在于，所述结构还包括阳极金属，所述阳极金属中间设置有与所述贯穿沟道相匹配的凸起部，所述阳极金属的边缘部分连接在所述第一N型半导体层或半绝缘型半导体层上，所述阳极金属的凸起部穿过所述贯穿沟道连接在所述贯穿沟道的底部。
4.如权利要求3所述的一种肖特基极结构，其特征在于，所述阳极金属的边缘与所述第一N型半导体层或半绝缘型半导体层接触，所述阳极金属的凸起部的下表面与所述贯穿沟道的底部接触，所述凸起部的侧面与所述贯穿沟道的内壁接触。
5.如权利要求2所述的一种肖特基极结构，其特征在于，所述贯穿沟道底部设置有P型半导体凸起部，P型半导体凸起部的个数大于等于0。
6.一种肖特基二极管，其特征在于，包括如权利要求1至5中任意一项所述的肖特基极结构，还包括：
高掺杂N型半导体层，设置于所述N型半导体层下，与所述N型半导体层接触；
阴极金属，设置于所述高掺杂N型半导体层的上表面，与所述高掺杂N型半导体层形成欧姆接触；
衬底，设置于所述高掺杂N型半导体层下，与所述高掺杂N型半导体层接触。
7.如权利要求6所述的一种肖特基二极管，其特征在于，所述高掺杂N型半导体层的掺杂浓度高于所述N型半导体层。
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