[实用新型]一种多晶硅大锭粘锭装置

说明书

本实用新型公开了一种多晶硅大锭粘锭装置，包括晶托，所述晶托的四个边侧均匀对称设置导轨，导轨上配合设置夹块，所述晶托的上方设置切割钢线，所述晶托的一侧设有若干喷浆管，所述晶托上平铺缠绕膜，缠绕膜长宽尺寸均伸到晶托外；具有方法简单，易于操作实现，多晶硅大锭底部平整，线切割沙浆能很均匀分布在大锭上表面和四周侧面，使切割后的小方锭长宽尺寸更标准，泡沫填充剂在缠绕膜内发泡使切割结束后36个小方锭受力均匀，不会出现一边切割完后产生断线，多晶硅头部向下，使切割到最后阶段硅锭表面不会产生表面裂纹，减少报废，提高收益。

技术领域

本实用新型涉及线切割技术领域，特别是涉及一种多晶硅大锭粘锭装置。

背景技术

多晶硅，是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。利用价值:从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料。

多晶硅开方是生产太阳能电池板产业链中的一道重要工序，粘锭是多晶硅开方的第一道工序，正常泡沫填充剂粘锭由于多晶硅大锭顶部凸凹不平，开方时不能使沙浆均匀分布在多晶硅大锭上，而且多晶硅大锭底部较脆头部较硬，底部向下切割到最后5厘米左右时，容易产生蚯蚓状表面裂纹，造成产品损失。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有问题，提供了一种多晶硅大锭粘锭装置。

本实用新型是通过以下技术方案实现的：一种多晶硅大锭粘锭装置，包括晶托，所述晶托的四个边侧均匀对称设置导轨，导轨上配合设置夹块，所述晶托的上方设置切割钢线，所述晶托的一侧设有若干喷浆管，所述晶托上平铺缠绕膜，缠绕膜长宽尺寸均伸到晶托外。

作为对上述方案的进一步改进，所述的晶托的每一个边侧均对称设置四个夹块及与夹块相适应的导轨。

作为对上述方案的进一步改进，所述的缠绕膜的长宽尺寸均超出晶托外50-60cm。

作为对上述方案的进一步改进，所述平铺在晶托上的缠绕膜为5-6层，并在顶层缠绕膜上喷涂泡沫填充剂，待10-20min后，泡沫填充剂半干时，先把超出晶托一侧边缘的缠绕膜向内折叠覆盖在泡沫填充剂上，依次再其相对边侧的缠绕膜向内折叠覆盖在泡沫填充剂上，如此反复把其他二个边侧的缠绕膜向内对折覆盖在泡沫填充剂上，使晶托上形成一个气垫床的效果，然后把多晶硅大锭头部向下底部向上通过夹块固定在形成的气垫床效果的晶托上，再通过沙浆管向倒置的多晶硅大锭的上方喷淋沙浆，首先从位于倒置的多晶硅大锭的底平面均匀铺满沙浆后，沙浆再溢到四周的四个侧面，然后即可通到切割钢线对多晶硅大锭进行线切割，切割成36块小方锭。

本实用新型相比现有技术具有以下优点：具有方法简单，易于操作实现，多晶硅大锭底部平整，线切割沙浆能很均匀分布在大锭上表面和四周侧面，使切割后的小方锭长宽尺寸更标准，泡沫填充剂在缠绕膜内发泡使切割结束后36个小方锭受力均匀，不会出现一边切割完后产生断线，多晶硅头部向下，使切割到最后阶段硅锭表面不会产生表面裂纹，减少报废，提高收益。

附图说明

图1为一种多晶硅大锭粘锭装置的结构示意图。

图2为图1的俯视结构示意图。

图3为晶托上平铺缠绕膜后喷涂泡沫填充剂后示意图。

图4为晶托上平铺缠绕膜后喷涂泡沫填充剂进行左右向内对折缠绕膜的示意图。

图5为晶托上平铺缠绕膜后喷涂泡沫填充剂左右向内对折缠绕膜后的示意图。

图6为晶托上缠绕膜前后向内对折的示意图。

图7为晶托上缠绕膜前后向内对折后的示意图。

具体实施方式