[实用新型]一种适用于减薄机台的研磨垫修整测量装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种适用于减薄机台的研磨垫修整测量装置。

背景技术

背照式(Back Side Illumination，BSI)技术将互补型金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，CMOS)成像的灵敏度提升到了一个新的水平。透镜排列在传感器后方的硅衬底上，而不是前方，没有了前方的配线干扰光线的吸收，此技术下的感光度和光吸收量提高了40，而且还能形成更细的像素。

因为透镜排列在传感器后方的硅衬底上，所以需要将晶圆(wafer)背面硅(Si)衬底的通过研磨(grind)减薄。晶背减薄(Grinding机)台通过磨轮在wafer背面摩擦减薄,在磨轮减薄之后wafer的背面比较粗糙，需要进一步使用研磨垫(pad)与化学研磨剂(slurry)进行细磨。在加工一定数目的wafer之后，pad的研磨能力会下降无法达到工艺要求的平整度，需要更换新pad。由于不同pad的厚度差异，在更换新pad后需要做pad厚度的设置(setup)，让Grinding机台精准的测量出pad的厚度。现有技术是通过在Grinding机台中手动放入测量模块以帮助Grinding机台测量pad厚度。

如图1-2所示，为现有技术中具有测量模块的减薄机台的示意图，其中，Pad驱动轴1的下端连接Pad 2，测量模块3位于Pad修整器4下方，现有手动放入测量模块3的方式需要频繁打开Grinding机台侧门取放测量模块3，整个操作过程繁琐，在操作过程中容易遗漏步骤。如果遗漏放入测量模块3，会造成机台轴的碰撞，遗漏取出测量模块3会造成加工(process)过程中pad 2得不到有效的修整，加工wafer的平整度达不到要求影响最终的感光度。

实用新型内容

针对现有技术中存在的问题，本实用新型提供了一种用于减薄机台的研磨垫修整测量装置。

本实用新型采用如下技术方案：

一种适用于减薄机台的研磨垫修整测量装置，所述测量装置设置在所述减薄机台内部以测量所述研磨垫的厚度；所述修整测量装置包括：测量模块，所述测量模块设置在所述研磨垫的下方；

升降模块，所述升降模块连接所述测量模块且设置在所述测量模块的下方；

研磨垫整修器，所述研磨垫整修器固定连接在所述测量模块上。

优选的，所述减薄机台内部还设有：

驱动轴，所述驱动轴的下端连接所述研磨垫，所述驱动轴带动所述研磨垫沿纵向往复运动；

驱动模块，所述驱动模块连接所述减薄机台和所述驱动轴的上端。

优选的，所述升降模块包括驱动装置及升降机构，所述升降机构连接所述测量模块，所述驱动装置驱动所述升降机构升起以及降下。

优选的，所述升降机构包括丝杆及丝母，所述丝母套设于所述丝杆上形成丝杆副，所述测量模块连接所述丝母。

优选的，所述升降机构还包括与所述丝杆同向的轨道，所述丝母可滑动不可转动的嵌设于所述轨道内。

优选的，所述升降机构还包括一连接座，所述测量模块通过所述连接座连接所述丝母。

优选的，所述驱动装置为步进电机。

优选的，还包括一控制装置，所述控制装置连接所述步进电机，用以控制所述步进电机转动。

优选的，所述控制装置为可编程逻辑控制器。

本实用新型的有益效果：测量模块与升降模块连接，测量模块可以由升降模块控制上升和下降的高度，更换研磨垫时不需要手动放入测量模块，同时研磨垫整修器固定连接在所述测量模块上，提高晶元背面修整效率，能够提高研磨垫的厚度测量效率。

附图说明

图1-2为现有技术中，具有测量模块的减薄机台的结构示意图；

图3为本实用新型的一种优选实施例中，一种用于减薄机台的研磨垫修整测量装置的结构示意图之一；

图4为本实用新型的一种优选实施例中，一种用于减薄机台的研磨垫修整测量装置的结构示意图之二。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，下述技术方案，技术特征之间可以相互组合。

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步的说明：

如图3-4所示，一种适用于减薄机台11的研磨垫修整测量装置，上述测量装置设置在上述减薄机台11内部以测量上述研磨垫的厚度；上述修整测量装置包括：

测量模块6，上述测量模块6设置在上述研磨垫10的下方；