[实用新型]倒置栅极结构的功率MOSFET有效
| 申请号： | 201721009526.1 | 申请日： | 2017-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN207381409U | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 杨文良;黄凤明;杨彦峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京久维律师事务所 11582 | 代理人： | 邢江峰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区梅林*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒置 栅极 结构 功率 mosfet | ||
【权利要求书】：
1.一种倒置栅极结构的功率MOSFET，包括其上设有源极、栅极和漏极的晶圆；其特征在于：源极设置在所述晶圆的正面，漏极和栅极设置于晶圆的背面；
所述源极上设有一电镀层或印刷有锡膏层；所述电镀层或印刷有锡膏层侧部的晶圆正面设有塑封层，与源极连接的电镀层或锡膏层裸露于塑封层外部。
2.如权利要求1所述的倒置栅极结构的功率MOSFET，其特征在于：所述漏极和栅极穿过衬底裸露于晶圆的背面。
3.如权利要求2所述的倒置栅极结构的功率MOSFET，其特征在于：所述漏极和栅极上设有金属层，漏极上的金属层和栅极上的金属层通过凹槽隔离。
4.如权利要求3所述的倒置栅极结构的功率MOSFET，其特征在于：所述凹槽内设有聚酰亚胺绝缘体，漏极上的金属层和栅极上的金属层通过聚酰亚胺绝缘体隔离。
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