[实用新型]一种低噪音的刻蚀设备有效
申请号: | 201721001990.6 | 申请日: | 2017-08-11 |
公开(公告)号: | CN207134335U | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 白云平 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 | 代理人: | 李春芳 |
地址: | 610225 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 噪音 刻蚀 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种刻蚀设备,特别是一种低噪音的刻蚀设备。
背景技术
单晶产品在刻蚀设备制程中通过去除硅片边缘的N型硅,使硅片上下两面绝缘,去除扩散形成的PSG,然后进行烘干。根据图3的被作用物我们可以发现,被作用物为长方体形状,对于此形状物的烘干,采用相应的出风口最为合适。
在整个过程中,会产生83.4dB的噪音,从而影响现场操作人员的身心健康和工作效率及存在安全隐患。同时,原设备通过吸风管道将室外的空气吸入室内,当室外较冷时,冷空气即便通过热风机加热后使用,仍然会降低效果。
实用新型内容
本实用新型的目的在于:针对上述问题,本实用新型提供一种低噪音的高产能的能造成气体循环的刻蚀设备。
本实用新型采用的技术方案如下:
一种低噪音的刻蚀设备,该刻蚀设备包括风刀组、热风机和高效过滤器,所述高效过滤器上设置有进风口,高效过滤器和热风机外包有机台,所述机台的壁面面向进风口的开口的方向设有回风口,所述回风口为长方形结构;
机台的外侧设置有风刀组,所述风刀组包括上下间隔设置的上风刀组和下风刀组,所述上风刀组和所述下风刀组的开口均为长方形,所述开口的长度与回风口的长度相等,上风刀组和下风刀组分别与热风机和高效过滤器通过风管顺次连接,上风刀组和下风刀组的中间设置有放物平台,所述放物平台为网状结构,放物平台的一端连接机台,放物平台、回风口与进风口均齐平设置,上风刀组包括水平设置的前风刀a和后风刀a,所述前风刀a 的开口面向正下方向,所述后风刀a的开口面向右下方向,前风刀a与机台的距离小于后风刀a与机台的距离,下风刀组包括水平设置的前风刀b和后风刀b,所述前风刀b的开口面向正上方向,所述后风刀b的开口面向右上方向,前风刀b与机台的距离小于后风刀b 与机台的距离。
优选的,所述热风机外包裹有隔音隔温棉。
优选的,所述回风口的上方设置有新风口。
一种低噪音的刻蚀系统,包括隔离间和设置在隔离间内的刻蚀设备,所述隔离间侧面设置有门和多个风口,隔离间包括工作区域和维修区域,所述维修区域内设置机台,工作区域设置风刀组。
优选的,所述风口设置有粗过滤网,所述门设置有隔音隔温棉。
综上所述,由于采用了上述技术方案,本实用新型的有益效果是:
本实用新型中的一种低噪音的刻蚀设备,通过取消管道和多层包裹隔绝,使得降噪效果十分明显,保护现场操作人员的身心健康,保证其工作效率,同时由于采用循环使用室内加热过的空气作为进风,从而提升了出风温度,出风温度的提高使得整个过程效率得到提高,并使得室外的环境变化对该装置的工作效果产生的影响得到降低,提升了产能,且采用了一定方法增加循环效率更高。
附图说明
图1是本实用新型结构图;
图2是本实用新型机台的正面图;
图3是被作用物的俯视图;
图中标记:1-隔离间;2-上风刀组;3-下风刀组;4-热风机;5-进风口;6-机台;7- 高效过滤器;8-回风口;9-门;10-风口;11-放物平台;12-新风口;13-工作区域;14-维修区域;15-前风刀a;16-后风刀a;17-后风刀b;18-前风刀b。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征,除了互相排斥的特征和/或步骤以外,均可以以任何方式组合。
实施例一
本实施例结合图1和图2所示,一种低噪音的刻蚀设备,该刻蚀设备包括风刀组、热风机4和高效过滤器7,所述高效过滤器7上设置有进风口5,高效过滤器7和热风机4外包有机台6,所述机台6的壁面面向进风口5的开口的方向设有回风口8,所述回风口8为长方形结构;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于通威太阳能(成都)有限公司,未经通威太阳能(成都)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201721001990.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型的信箱装置
- 下一篇:具有回流阀的基板湿制程处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造