[实用新型]一种低噪音的刻蚀设备有效
申请号: | 201721001990.6 | 申请日: | 2017-08-11 |
公开(公告)号: | CN207134335U | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 白云平 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司51230 | 代理人: | 李春芳 |
地址: | 610225 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 噪音 刻蚀 设备 | ||
1.一种低噪音的刻蚀设备,该刻蚀设备包括风刀组、热风机(4)和高效过滤器(7),其特征在于:所述高效过滤器(7)上设置有进风口(5),高效过滤器(7)和热风机(4)外包有机台(6),所述机台(6)的壁面面向进风口(5)的开口的方向设有回风口(8),所述回风口(8)为长方形结构;
机台(6)的外侧设置有风刀组,所述风刀组包括上下间隔设置的上风刀组(2)和下风刀组(3),所述上风刀组(2)和所述下风刀组(3)的开口均为长方形,所述开口的长度与回风口(8)的长度相等,上风刀组(2)和下风刀组(3)分别与热风机(4)和高效过滤器(7)通过风管顺次连接,上风刀组(2)和下风刀组(3)的中间设置有放物平台(11),所述放物平台(11)为网状结构,放物平台(11)的一端连接机台(6),放物平台(11)、回风口(8)与进风口(5)均齐平设置,上风刀组(2)包括水平设置的前风刀a(15)和后风刀a(16),所述前风刀a(15)的开口面向正下方向,所述后风刀a(16)的开口面向右下方向,前风刀a(15)与机台(6)的距离小于后风刀a(16)与机台(6)的距离,下风刀组(3)包括水平设置的前风刀b(18)和后风刀b(17),所述前风刀b(18)的开口面向正上方向,所述后风刀b(17)的开口面向右上方向,前风刀b(18)与机台(6)的距离小于后风刀b(17)与机台(6)的距离。
2.根据权利要求1所述的一种低噪音的刻蚀设备,其特征在于:所述热风机(4)外包裹有隔音隔温棉。
3.根据权利要求1所述的一种低噪音的刻蚀设备,其特征在于:所述回风口(8)的上方设置有新风口(12)。
4.一种低噪音的刻蚀系统,其特征在于:包括隔离间(1)和设置在隔离间(1)内的刻蚀设备,所述隔离间(1)侧面设置有门(9)和多个风口(10),隔离间(1)包括工作区域(13)和维修区域(14),所述维修区域(14)内设置机台(6),工作区域(13)设置风刀组。
5.根据权利要求4所述的一种低噪音的刻蚀系统,其特征在于:所述风口(10)设置有粗过滤网,所述门(9)设置有隔音隔温棉。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造