[实用新型]一种用于全彩显示的MicroLED芯片

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管技术领域，尤其涉及一种用于全彩显示的MicroLED芯片。

背景技术

微发光二极体(Micro-light emitting diodes，MicroLED)是一种发射显示技术，能提供高对比度、高刷新速度以及宽视角。此外，MicroLED还能提供更宽的色域和更高的亮度，且具有能耗低、寿命长、耐久性以及环境稳定性等特点。此外，MicroLED还支持传感器和电路的集成，实现嵌入传感功能的超薄显示，如指纹识别和手势控制等。

目前，MicroLED为了实现全彩化和波长均一性，需要对红、绿、蓝三色芯粒分别进行分Bin，RGB阵列还需分次转贴红、蓝、绿三色的芯粒，还需要对红、蓝、绿三色的芯粒分别进行测试分析和封装，工作量大，生产成本高昂，阻碍大规模的生产，并且每个像素点由RGB阵列组成，分辨率较低。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种用于全彩显示的MicroLED芯片，提高分辨率，降低成本。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种用于全彩显示的MicroLED芯片，包括：第一衬底，依次设于第一衬底表面的蓝光外延层、绿光外延层和红光外延层；其中，

所述蓝光外延层与所述绿光外延层之间由下往上依次设有位于所述蓝光外延层表面的第一氧化铟锡层、第一二氧化硅层、第二二氧化硅层和第二氧化铟锡层；

所述绿光外延层与所述红光外延层之间由下往上依次设有位于所述绿光外延层表面的第四二氧化硅层、第三二氧化硅层和第三氧化铟锡层；

所述第三氧化铟锡层上设有第一电极，所述第二氧化铟锡层上设有第二电极，所述第一氧化铟锡层上设有第三电极，所述蓝光外延层上设有第四电极。

作为上述方案的改进，所述蓝光外延层包括：

设于所述第一衬底表面的蓝光N型氮化镓层，

设于蓝光N型氮化镓层表面的蓝光有源层，

设于蓝光有源层表面的蓝光P型氮化镓层，

所述第四电极设置在蓝光N型氮化镓层上。

作为上述方案的改进，所述绿光外延层包括：

设于第二氧化铟锡层表面的绿光P型氮化镓层，

设于绿光P型氮化镓层表面的绿光有源层，

设于绿光有源层表面的绿光N型氮化镓层。

作为上述方案的改进，所述红光外延层包括：

设于第三氧化铟锡层表面的红光P型氮化镓层，

设于红光P型氮化镓层表面的红光有源层，

设于红光有源层表面的红光N型氮化镓层。

作为上述方案的改进，所述红光N型氮化镓层表面、第一电极两侧、第二电极两侧、第三电极两侧和第四电极两侧设有钝化层。

作为上述方案的改进，所述第一衬底为蓝宝石衬底或硅衬底。

作为上述方案的改进，所述第一衬底的单边尺寸不大于200微米。

实施本实用新型，具有如下有益效果：

1、本实用新型提供的一种用于全彩显示的MicroLED芯片，在单个LED芯片上形成红蓝绿的发光结构，无需设置RGB阵列和微透镜，单颗MicroLED芯片即可完成全彩发光，像素间距小，分辨率高。

2、本实用新型提供的一种用于全彩显示的MicroLED芯片，采用晶圆键合技术，将蓝光晶圆、绿光晶圆和红光晶圆键合在一起，形成单颗芯片，节省晶圆面积，此外，只需对单颗芯片进行一次测试分选和封装，节省人力物力，从而有利于大规模量产。

附图说明

图1为本实用新型实施例的一种用于全彩显示的MicroLED芯片的制作方法流程图；

图2a为本实用新型实施例的一种用于全彩显示的MicroLED芯片形成蓝光晶圆、绿光晶圆和红光晶圆的结构示意图；

图2b为本实用新型实施例的一种用于全彩显示的MicroLED芯片形成蓝绿光晶圆的结构示意图；

图2c为本实用新型实施例的一种用于全彩显示的MicroLED芯片形成第四二氧化硅层的结构示意图；

图2d为本实用新型实施例的一种用于全彩显示的MicroLED芯片形成蓝绿红光晶圆的结构示意图；

图2e为本实用新型实施例的一种用于全彩显示的MicroLED芯片形成MicroLED晶圆的结构示意图；

图2f为本实用新型实施例的一种用于全彩显示的MicroLED芯片形成第一孔洞、第二孔洞、第三孔洞和第四孔洞的结构示意图；

图2g为图2f的MicroLED芯片的俯视示意图；