[实用新型]一种用于全彩显示的MicroLED芯片

权利要求书

1.一种用于全彩显示的MicroLED芯片，包括：第一衬底，依次设于第一衬底表面的蓝光外延层、绿光外延层和红光外延层；其中，

所述蓝光外延层与所述绿光外延层之间由下往上依次设有位于所述蓝光外延层表面的第一氧化铟锡层、第一二氧化硅层、第二二氧化硅层和第二氧化铟锡层；

所述绿光外延层与所述红光外延层之间由下往上依次设有位于所述绿光外延层表面的第四二氧化硅层、第三二氧化硅层和第三氧化铟锡层；

所述第三氧化铟锡层上设有第一电极，所述第二氧化铟锡层上设有第二电极，所述第一氧化铟锡层上设有第三电极，所述蓝光外延层上设有第四电极。

2.根据权利要求1所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述蓝光外延层包括：

设于所述第一衬底表面的蓝光N型氮化镓层，

设于蓝光N型氮化镓层表面的蓝光有源层，

设于蓝光有源层表面的蓝光P型氮化镓层，

所述第四电极设置在蓝光N型氮化镓层上。

3.根据权利要求1所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述绿光外延层包括：

设于第二氧化铟锡层表面的绿光P型氮化镓层，

设于绿光P型氮化镓层表面的绿光有源层，

设于绿光有源层表面的绿光N型氮化镓层。

4.根据权利要求1所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述红光外延层包括：

设于第三氧化铟锡层表面的红光P型氮化镓层，

设于红光P型氮化镓层表面的红光有源层，

设于红光有源层表面的红光N型氮化镓层。

5.根据权利要求4所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述红光N型氮化镓层表面、第一电极两侧、第二电极两侧、第三电极两侧和第四电极两侧设有钝化层。

6.根据权利要求1所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述第一衬底为蓝宝石衬底或硅衬底。

7.根据权利要求1所述的MicroLED芯片，其特征在于，所述第一衬底的单边尺寸不大于200微米。