[实用新型]一种布线结构及具有该布线结构的晶圆

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种布线结构及具有该布线结构的晶圆。

背景技术

晶圆片级芯片规模封装(英文全称：Wafer Level Chip Scale Packaging，简称：WLCSP)是近年来迅速发展的一种先进封装工艺，该技术包含很多特殊的工艺制程，如再布线层(英文全称：Redistribution Layer，简称：RDL)制作、凸点制备等。晶圆在经历这些工艺过程后内部会积累较大的应力，应力的宏观表现即为晶圆的翘曲变形。较大的晶圆翘曲会严重影响后续工艺的精度及自动化操作，同时带来诸多可靠性问题。目前，随着芯片集成度的不断提高，以及大尺寸晶圆的采用，晶圆翘曲问题也变得越来越严峻，已成为WLCSP发展所面临的主要挑战之一。

由于翘曲本质是由各封装材料的热膨胀系数不同所导致。现有解决晶圆翘曲的方法通常为：设计新型晶圆级封装结构、改进工艺流程及工艺参数等。

本实用新型从布线结构方面，提出一种能够降低晶圆翘曲度的布线结构，能够在现有解决方式的基础上进一步降低晶圆翘曲度。

发明内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种布线结构及具有该布线结构的晶圆，以解决晶圆级封装工艺的晶圆翘曲问题。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种布线结构，包括：第一绝缘层，覆盖晶圆表面；所述第一绝缘层开设有第一开口，露出所述第一绝缘层底部的金属焊盘；再布线层，设置于所述第一绝缘层表面，通过所述第一开口与所述金属焊盘连接；第二绝缘层，套设于所述再布线层表面，并且当再布线层的相邻导线之间的距离大于预设值时，套设于相邻导线上的第二绝缘层间设置有间距。

可选地，所述第二绝缘层开设有第二开口，露出所述第二绝缘层底部再布线层的导线；所述布线结构还包括：焊球或凸点，设置于所述第二开口处，与露出的导线连接。

第二方面，本实用新型实施例提供了具有第一方面或第一方面任意一种可选实施方式所述的布线结构的晶圆。

本实用新型实施例所提供的布线结构，第二绝缘层套设于再布线层表面，依附于再布线层的导线分布，使得晶圆表面的再布线层各导线的应力能够去耦合，从而降低晶圆翘曲度。

附图说明

通过参考附图会更加清楚的理解本实用新型的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本实用新型进行任何限制，在附图中：

图1示出了前道来料晶圆的结构示意图；

图2示出了在前道来料晶圆表面形成第一绝缘层的示意图；

图3示出了在第一绝缘层表面形成再布线层的示意图；

图4示出了在再布线层表面形成第二绝缘层的示意图；

图5示出了在第二绝缘层表面设置焊球或凸点的示意图；

图6示出了图5所示布线结构中的一条导线的的俯视图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、优点、制备方法更加清楚，下面将结合附图对本实用新型的实施示例进行详细描述，所述实施例的示例在附图中示出，其中附图中部分结构直接给出了优选的结构材料，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。需要说明的是，参考附图描述的实施例是示例性的，实施例中表明的结构材料也是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能解释为对本实用新型的限制，本实用新型各个实施例的附图仅是为了示意的目的，因此没有必要按比例绘制。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型实施例提供了一种降低晶圆翘曲度的布线结构，该布线结构设置于如图1所示的前道来料晶圆表面，该前道来料晶圆包括绝缘层10以及设置于绝缘层10表面金属焊盘20。30为前道来料晶圆绝缘层底部的其他结构。

如图5所示，该布线结构包括第一绝缘层40、再布线层50和第二绝缘层60。

如图2所示，第一绝缘层40覆盖晶圆表面，并且第一绝缘层40开设有第一开口，露出第一绝缘层40底部的金属焊盘。需要指出的是，此处的第一绝缘层40与前道来料晶圆原有的绝缘层10不是同一层。

如图3所示，再布线层50设置于第一绝缘层40表面，通过第一开口与金属焊盘20连接。

如图4所示，第二绝缘层60套设于再布线层50表面，并且当再布线层50的相邻导线之间的距离大于预设值时，套设于相邻导线上的第二绝缘层60间设置有间距。