[实用新型]陶瓷多层基板的制造装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及陶瓷多层基板的制造装置。

背景技术

为了制造用于制成电子部件的陶瓷多层基板，而对层叠了基板用陶瓷生片而成的陶瓷层叠体进行烧制。但是，若直接对陶瓷层叠体进行烧制，则会出现陶瓷层叠体在烧制时收缩，产生尺寸误差的情况。

为此，提出了以在陶瓷层叠体的至少一个主表面配置有在陶瓷层叠体烧结的温度下不烧结的收缩抑制用陶瓷生片的状态进行烧制的方法。

收缩抑制用陶瓷生片是以覆盖基板上的表面电极的形式被赋予的，因此需要在烧制后将其除去。此时，追求均匀地除去收缩抑制用陶瓷生片，以使表面电极的露出状态变得均匀。

作为除去收缩抑制用陶瓷生片的方法，在专利文献1中公开了进行第一除去工序和第二除去工序的方法，其中，在第一除去工序中，向收缩抑制用陶瓷生片喷射液状物和压缩气体，来除去收缩抑制用陶瓷生片中的不与陶瓷层叠体的玻璃成分发生反应的部分，在第二除去工序中，以比第一除去工序时的压力低的压力喷射陶瓷粉末、液状物以及压缩气体，来除去第一除去工序中未除去干净的保留物。

专利文献1：日本专利第3649246号公报

在专利文献1所记载的方法中，通过第一除去工序主要除去收缩抑制用陶瓷生片中的不与陶瓷多层基板的玻璃成分发生反应的部分，接下来，通过第二除去工序除去第一除去工序中未除去干净的保留物的大部分，由此能够均匀地除去收缩抑制用陶瓷生片。

但是，在专利文献1所记载的方法中，考虑到在以高压喷射液状物和压缩气体的第一除去工序中，若液状物与压缩气体的冲击力不高于不与上述玻璃成分反应的部分的强度，则无法除去该部分。

实质上，本实用新型人使用专利文献1所记载的方法制造出各种陶瓷多层基板的过程中，明确出了有时会因为收缩抑制用陶瓷生片的材料上存在差异，或者是因为收缩抑制用陶瓷生片的材料与基板用陶瓷生片的材料的组合上存在差异，致使在第一除去工序中无法除去不与上述玻璃成分反应的部分。因此，在专利文献1所记载的方法中，存在在制造陶瓷多层基板时，能够除去收缩抑制用陶瓷生片的材料选择的范围变窄，材料设计的自由度低这样的问题。

实用新型内容

本实用新型是为了解决上述问题而产生的，其目的在于提供一种在使用收缩抑制用陶瓷生片制造陶瓷多层基板时，能够均匀地除去收缩抑制用陶瓷生片，材料设计的自由度高的陶瓷多层基板的制造装置。

本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置的特征在于，具备：烧制单元，其对由层叠了多个基板用陶瓷生片而成的未烧制的陶瓷层叠体、和配置于上述未烧制的陶瓷层叠体的至少一个主表面且在上述未烧制的陶瓷层叠体烧结的温度下实质上不烧结的收缩抑制用陶瓷生片构成的复合层叠体，以上述未烧制的陶瓷层叠体烧结的温度进行烧制；第一除去单元，其通过向上述复合层叠体的主表面上的上述收缩抑制用陶瓷生片喷射固态物、液状物以及压缩气体，而在上述收缩抑制用陶瓷生片中，保留与上述陶瓷层叠体的玻璃成分发生反应而形成于与上述陶瓷层叠体间的界面的反应层的同时、除去不与上述玻璃成分反应的非烧结层；以及第二除去单元，其除去上述反应层。

在本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置中，在烧制时，陶瓷层叠体的玻璃成分熔化，并向收缩抑制用陶瓷生片流动，因此在利用烧制单元进行了烧制之后，在收缩抑制用陶瓷生片中的与陶瓷层叠体间的界面，形成有与上述玻璃成分反应而成的高硬度的反应层。另一方面，剩余的收缩抑制用陶瓷生片在烧制时不与上述玻璃成分发生反应、也不烧结，因此成为比反应层脆的非烧结层。

在本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置中，利用至少两个除去单元，来从烧制后的复合层叠体上除去收缩抑制用陶瓷生片。具体而言，在以使高硬度的反应层保留于陶瓷层叠体的主表面上的状态下，利用第一除去单元除去了脆的非烧结层之后，利用第二除去单元除去高硬度的反应层。因此，在利用烧制单元进行了烧制之后，不仅是能在收缩抑制用陶瓷生片均匀地附着于陶瓷层叠体的主表面上的情况下，而且即便在收缩抑制用陶瓷生片不均匀地附着于陶瓷层叠体的主表面上的情况下，也能够利用第一除去单元均匀地除去非烧结层，而不对成为基板的陶瓷层叠体给予大损伤。之后，通过利用第二除去单元除去反应层，能够均匀地除去收缩抑制用陶瓷生片。

并且，在本实用新型的陶瓷多层基板的制造装置中，利用第一除去单元向收缩抑制用陶瓷生片喷射液状物和压缩气体之外还喷射固态物，因此与采用了专利文献1所记载的方法的装置相比，能够提高对非烧结层的作用力。其结果，能够除去采用了专利文献1所记载的方法的装置无法除去的硬度的非烧结层。