[实用新型]陶瓷多层基板的制造装置有效
| 申请号: | 201720987148.8 | 申请日: | 2017-08-08 |
| 公开(公告)号: | CN207305136U | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
| 发明(设计)人: | 浅井良太 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 李洋,青炜 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 陶瓷 多层 制造 装置 | ||
1.一种陶瓷多层基板的制造装置,其特征在于,具备:
对于由层叠了多个基板用陶瓷生片而成的未烧制的陶瓷层叠体、和配置于所述未烧制的陶瓷层叠体的至少一个主表面且在所述未烧制的陶瓷层叠体烧结的温度下实质上不烧结的收缩抑制用陶瓷生片构成的复合层叠体,以所述未烧制的陶瓷层叠体烧结的温度进行烧制的烧制单元;
通过向所述复合层叠体的主表面上的所述收缩抑制用陶瓷生片喷射固态物、液状物以及压缩气体,而在所述收缩抑制用陶瓷生片中,保留与所述陶瓷层叠体的玻璃成分发生反应而形成于与所述陶瓷层叠体间的界面的反应层的同时、除去不与所述玻璃成分反应的非烧结层的第一除去单元;以及
除去所述反应层的第二除去单元。
2.根据权利要求1所述的陶瓷多层基板的制造装置,其中,
所述第二除去单元具有:通过向所述复合层叠体的主表面上的所述收缩抑制用陶瓷生片喷射固态物、液状物以及压缩气体来除去所述反应层的第二喷射单元。
3.根据权利要求2所述的陶瓷多层基板的制造装置,其中,
所述第一除去单元具备:喷射莫氏硬度等于或大于所述反应层的莫氏硬度、并且中位粒径小于所述第二除去单元所喷射的所述固态物的中位粒径的固态物的第一喷射单元。
4.根据权利要求2所述的陶瓷多层基板的制造装置,其中,
所述第一除去单元具备:喷射莫氏硬度小于所述反应层的莫氏硬度、并且中位粒径等于或大于所述第二除去单元所喷射的所述固态物的中位粒径的固态物的第一喷射单元。
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