[实用新型]一种减反射膜以及多晶硅太阳电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及多晶硅太阳电池技术领域，尤其是涉及一种减反射膜以及多晶硅太阳电池。

背景技术

太阳能电池发展的主要趋势是高转换效率和低成本。为了提高电池的转换效率，降低电池表面的光反射，增加光的有效吸收是十分必要的。采用减反射膜以降低电池表面对光的反射损失，即是一种提高转化率和降低成本的方法。

目前，晶体硅太阳电池行业普遍采用PEVCD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积)方式制作出减反射膜，对应的管式PEVCD机台普遍所使用的特气为氨气和硅烷，由于机台只能定量控制氨气和硅烷的流量，因此，传统的减反射膜通常为2到3层氮化硅膜层结构，此结构的反射率较高，且在抗PID(Potential Induced Degradation，高压诱导衰减效应)性能上无优势。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本实用新型的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技术人员所公知的现有技术。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种减反射膜以及多晶硅太阳电池，以解决现有减反射膜中存在的反射率较高，抗PID性能差的技术问题。

为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

第一方面，本实用新型提供一种减反射膜，其至少包括氮氧化硅膜层和氮化硅渐变膜层，所述氮氧化硅膜层与氮化硅渐变膜层之间形成叠层状的薄膜结构。

作为一种进一步的技术方案，该减反射膜包括第一氮氧化硅膜层、第一氮化硅膜层和第一氮化硅渐变膜层；所述第一氮化硅膜层沉积在所述第一氮氧化硅膜层之上，所述第一氮化硅渐变膜层沉积在所述第一氮化硅膜层之上。

优选的，所述第一氮氧化硅膜层满足如下参数条件：

所述第一氮氧化硅膜层的厚度设置为1～5nm；

所述第一氮氧化硅膜层的折射率设置为1.5～1.9。

优选的，所述第一氮化硅膜层满足如下参数条件：

所述第一氮化硅膜层厚度设置为10～30nm；

所述第一氮化硅膜层的折射率设置为2.15～2.35。

优选的，所述第一氮化硅渐变膜层满足如下参数条件：

所述第一氮化硅渐变膜层的厚度设置为50～75nm；

所述第一氮化硅渐变膜层的折射率渐变范围1.6～2.10。

作为一种进一步的技术方案，该减反射膜包括第二氮化硅膜层、第二氮化硅渐变膜层和第二氮氧化硅膜层；所述第二氮化硅渐变膜层沉积在所述第二氮化硅膜层之上，所述第二氮氧化硅膜层沉积在所述第二氮化硅渐变膜层之上。

优选的，所述第二氮化硅膜层满足如下参数条件：

所述第二氮化硅膜层的厚度设置为8～30nm；

所述第二氮化硅膜层的折射率设置为2.15～2.35。

优选的，所述第二氮化硅渐变膜层满足如下参数条件：

所述第二氮化硅渐变膜层的厚度控制范围60～75nm；

所述第二氮化硅渐变膜层的折射率渐变范围1.8～2.10。

优选的，所述第二氮氧化硅膜层满足如下参数条件：

所述第二氮氧化硅膜层的厚度设置为2～8nm；

所述第二氮氧化硅膜层的折射率设置为1.5～1.8。

作为一种进一步的技术方案，该减反射膜包括第三氮化硅渐变膜层和第三氮氧化硅膜层；所述第三氮氧化硅膜层沉积在所述第三氮化硅渐变膜层之上。

优选的，所述第三氮化硅渐变膜层满足如下参数条件：

所述第三氮化硅渐变膜层的厚度设置为70～85nm；

所述第三氮化硅渐变膜层的折射率渐变范围1.8～2.35。

优选的，所述第三氮氧化硅膜层满足如下参数条件：

所述第三氮氧化硅膜层的厚度设置为2～8nm；

所述第三氮氧化硅膜层的折射率设置为1.5～1.8。

采用上述技术方案，本实用新型具有如下有益效果：

本实用新型提供一种减反射膜，将氮氧化硅膜层和氮化硅渐变膜层形成叠层状的薄膜结构，该氮化硅渐变膜层的折射率高低渐变，减少了光的反射，从而实现降低反射率的目的；同时，该氮氧化硅膜层具有抗PID的性能。

第二方面，本实用新型提供一种多晶硅太阳电池，其包括所述的减反射膜。

采用上述技术方案，本实用新型具有如下有益效果：