[实用新型]一种减反射膜以及多晶硅太阳电池

权利要求书

1.一种减反射膜，其特征在于，至少包括氮氧化硅膜层和氮化硅渐变膜层，所述氮氧化硅膜层与氮化硅渐变膜层之间形成叠层状的薄膜结构。

2.根据权利要求1所述的减反射膜，其特征在于，包括第一氮氧化硅膜层、第一氮化硅膜层和第一氮化硅渐变膜层；所述第一氮化硅膜层沉积在所述第一氮氧化硅膜层之上，所述第一氮化硅渐变膜层沉积在所述第一氮化硅膜层之上。

3.根据权利要求2所述的减反射膜，其特征在于，所述第一氮氧化硅膜层满足如下参数条件：

所述第一氮氧化硅膜层的厚度设置为1～5nm；

所述第一氮氧化硅膜层的折射率设置为1.5～1.9。

4.根据权利要求2所述的减反射膜，其特征在于，所述第一氮化硅膜层满足如下参数条件：

所述第一氮化硅膜层厚度设置为10～30nm；

所述第一氮化硅膜层的折射率设置为2.15～2.35。

5.根据权利要求2所述的减反射膜，其特征在于，所述第一氮化硅渐变膜层满足如下参数条件：

所述第一氮化硅渐变膜层的厚度设置为50～75nm；

所述第一氮化硅渐变膜层的折射率渐变范围1.6～2.10。

6.根据权利要求1所述的减反射膜，其特征在于，包括第二氮化硅膜层、第二氮化硅渐变膜层和第二氮氧化硅膜层；所述第二氮化硅渐变膜层沉积在所述第二氮化硅膜层之上，所述第二氮氧化硅膜层沉积在所述第二氮化硅渐变膜层之上。

7.根据权利要求6所述的减反射膜，其特征在于，所述第二氮化硅膜层满足如下参数条件：

所述第二氮化硅膜层的厚度设置为8～30nm；

所述第二氮化硅膜层的折射率设置为2.15～2.35。

8.根据权利要求6所述的减反射膜，其特征在于，所述第二氮化硅渐变膜层满足如下参数条件：

所述第二氮化硅渐变膜层的厚度控制范围60～75nm；

所述第二氮化硅渐变膜层的折射率渐变范围1.8～2.10。

9.根据权利要求6所述的减反射膜，其特征在于，所述第二氮氧化硅膜层满足如下参数条件：

所述第二氮氧化硅膜层的厚度设置为2～8nm；

所述第二氮氧化硅膜层的折射率设置为1.5～1.8。

10.根据权利要求1所述的减反射膜，其特征在于，包括第三氮化硅渐变膜层和第三氮氧化硅膜层；所述第三氮氧化硅膜层沉积在所述第三氮化硅渐变膜层之上。

11.根据权利要求10所述的减反射膜，其特征在于，所述第三氮化硅渐变膜层满足如下参数条件：

所述第三氮化硅渐变膜层的厚度设置为70～85nm；

所述第三氮化硅渐变膜层的折射率渐变范围1.8～2.35。

12.根据权利要求10所述的减反射膜，其特征在于，所述第三氮氧化硅膜层满足如下参数条件：

所述第三氮氧化硅膜层的厚度设置为2～8nm；

所述第三氮氧化硅膜层的折射率设置为1.5～1.8。

13.一种多晶硅太阳电池，其特征在于，包括如权利要求1-12中任一项所述的减反射膜。