[实用新型]一种UVLED芯片固晶封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及UVLED封装领域，一种UVLED芯片固晶封装结构。

背景技术

随着LED技术的快速发展以及可见光领域的日趋成熟，短波长的紫外光发光二极管(UV LED)逐渐被广大研究人员所关注，由于其光谱波段集中在紫外范围内，相比传统紫外光源，拥有独一无二的优势，包括功耗低、发光响应快、可靠性高、辐射效率高、寿命长、对环境无污染、结构紧凑等诸多优点，故其具有广阔的市场应用前景，在丝网印刷、聚合物固化、环境保护、白光照明以及军事探测等领域都有重大应用价值。

目前LED的封装采用固晶银胶，固晶银胶主要成分是由80-90％银粉加10％左右环氧树脂构成，而由于紫外光波长更短，辐射能量高，固晶银胶中的环氧树脂会被紫外线逐渐分解，会使UVLED芯片和固晶银胶有脱离基板的趋向，从而降低LED芯片的发光效率，影响其使用性能和寿命。

实用新型内容

为解决上述问题，本实用新型提供一种UVLED芯片固晶封装结构。

为实现上述目的，本实用新型采用如下的技术方案是：一种UVLED 芯片固晶封装结构，包括基板、UVLED芯片和石英透镜，所述的基板设有固晶区，所述的固晶区表面设有纳米烧结银浆层，所述的UVLED 芯片设于纳米烧结银浆层上方，所述的石英透镜罩合在UVLED芯片上。省去了在基板上另设导电金属箔(例如铜箔)的操作，同时纳米烧结银浆层相对于金属箔而言，使UVLED芯片与基板结合得更加紧密，并且不像金属箔一样需要在基板上额外设置焊料，纳米烧结银浆层能够直接与基板、UVLED芯片反应形成结合层。

优选地，所述的纳米烧结银浆层厚度为10um。

优选地，所述的纳米烧结银浆层包括微米级银粉层、纳米级银层、改性高份子树脂层，所述的微米级银粉层、纳米级银层间形成簇状金属键合结构。

优选地，所述的纳米烧结银浆层达到200W/M.K导热系数；可使热量快速的散发出去，保证了UVLED芯片的正常工作，延长了使用寿命，提升了产品质量。

优选地，所述的基板包括依次层叠的陶瓷框、陶瓷基板、铜线路板，所述的陶瓷框、陶瓷基板、铜线路板高温共烧一体成型，所述的铜线路板由多层氮化铝陶瓷生坯叠加组成，每层所述氮化铝陶瓷生坯表面印刷有电路层，每层所述电路层采用串联或并联或串并联方式连接，所述的陶瓷框四角设有极性检测点，每层所述电路层电性连接，所述的陶瓷基板和铜线路板在极性检测点位置设有电极，所述的电极与极性检测点电性连接。

本实用新型的有益效果在于：本实用新型结构简单，纳米烧结银浆层有高导热性能，使热量快速的散发出去，避免了因散热不及时产生的损坏，保证UVLED芯片的正常工作，延长了使用寿命，还具有优良的高低温的结合力，使UVLED芯片更加稳固的连接在基板上，不易于脱离基板，同时保证了和提升了产品的质量。

附图说明

图1是本实用新型的结构图。

图2是本实用新型爆炸图。

图3是本实用新型的纳米烧结银浆层结构图。

图4是本实用新型纳米烧结银浆层的热阻变化测试图。

图5是本实用新型纳米烧结银浆层的推力变化测试图。

图6是是本实用新型纳米烧结银浆层的通用性能图。

图7是本实用新型的基板结构图。

标注说明：1.基板；11.极性检测点；12.固晶区；13.陶瓷框； 14.陶瓷基板；15.铜线路板；2.UVLED芯片；3.石英透镜；41.微米级银粉层；42.纳米级银层；43.改性高份子树脂层。

具体实施方式

本实用新型提供一种UVLED芯片2固晶封装结构，包括基板1、 UVLED芯片2和石英透镜3，所述的基板1设有固晶区12，所述的固晶区12表面设有纳米烧结银浆层，所述的UVLED芯片2设于纳米烧结银浆层上方，所述的石英透镜3罩合在UVLED芯片2上。省去了在基板1上另设导电金属箔(例如铜箔)的操作，同时纳米烧结银浆层相对于金属箔而言，使UVLED芯片2与基板1结合得更加紧密，并且不像金属箔一样需要在基板1上额外设置焊料，纳米烧结银浆层能够直接与基板1、UVLED芯片2反应形成结合层。

优选地，所述的纳米烧结银浆层厚度为10um。

优选地，所述的纳米烧结银浆层包括微米级银粉层41、纳米级银层42、改性高份子树脂层43，所述的微米级银粉层41、纳米级银层42间形成簇状金属键合结构。