[实用新型]叠片组件连接结构及叠片组件有效
| 申请号: | 201720961577.8 | 申请日: | 2017-08-03 |
| 公开(公告)号: | CN207009444U | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
| 发明(设计)人: | 马茜;张峥嵘;丁二亮;尹丙伟 | 申请(专利权)人: | 成都晔凡科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/05;H01L31/044 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 刘迎春,王楠 |
| 地址: | 610041 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 组件 连接 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及光伏电池领域,更具体地,本实用新型涉及一种叠片组件连接结构及叠片组件。
背景技术
随着全球技术和经济的迅猛发展,日益需要更多更清洁的能源来满足需求。太阳能资源在发电时没有二氧化碳排出并且环境负担小,因此许多国家和地区都在大力发展太阳能(例如光伏)电池作为能源。
单片太阳能电池作用有限,太阳能电池组件成为更好的选择。太阳能电池组件要实现发电的功能要将单片太阳能电池连接起来使其成为一个整体。叠片组件是一种将光伏电池以更紧密的方式互相连结的技术,使得电池间的缝隙降到最低、甚至边缘稍微重叠,因此在单位面积相同的情况下可以铺设更多的电池,从而吸光面积增加,功率也能至少提高10~15W。
另外,叠片组件几乎不需要焊带,相对地节省了组件成本,叠片组件以高功率、高的转换效率迅速打破晶硅传统市场,并且吸引各大光伏厂家的眼球。
目前在实际使用过程中,由于叠片组件的二极管的设计存在缺陷及二极管设计不合理导致出现“组件热斑”,引起一起又一起质量事故。问题严重,亟待解决。
在现有技术中,为每个面板仅仅设置一个二极管或者二极管配置不合理很难降低热斑现象发生的概率。如果在光伏叠片组件的各区域间的连接处不设置间隙,组件虽然可以保持高功率、高转换效率,但是无法很好的降低组件热斑现象的发生概率。因此降低热斑现象的作用还有提升空间。此外,现有技术中多个接线盒的设置会浪费资源、占据更多空间而且增加成本。
因此,迫切需要能够解决上述问题的可降低热斑现象且高功率的光伏叠片组件以及相应的连接结构和出线结构等。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种叠片组件连接结构及叠片组件。
上述目的通过根据本实用新型的叠片组件连接结构实现,所述叠片组件为矩阵式排布叠片组件,并且矩阵的列元素之间通过具有用于连接旁路二极管的引出线的“Z”型弯折结构汇流条连接,在所述叠片组件的正负极和用于连接旁路二极管的引出线之间连接有多个旁路二极管。在保持高功率、高转换效率的同时能够很好地降低组件热斑现象的发生概率。
根据本实用新型的优选的实施方式,所述“Z”型弯折结构汇流条包括:第一焊接带;通过“Z”型条的上端侧连接到第一焊接带的一侧的第二焊接带,且第二焊接带连接在“Z”型条的下端侧;以及在第一焊接带的另一侧通过横条连接到第一焊接带的第三焊接带,所述第三焊接带用于连接旁路二极管的引出线,第一焊接带焊接到矩阵的相邻两个列元素的上一个列元素,第二焊接带焊接到矩阵的相邻两个列元素的下一个列元素。这种“Z”型弯折结构汇流条十分方便引线。此外能够使相邻两个列元素之间形成坡度,由此能够在叠片组件层压和户外使用过程中,更好地释放组件应力。
根据本实用新型的优选的实施方式,所述矩阵式排布叠片组件的每个矩阵元素代表一个区域,每个区域内包含多个并联电池串且并联电池串之间保有间隙。从而可以兼顾各区域间的串联连接以及每个区域内的电池串之间的并联连接,从而使可靠性高的多晶叠瓦组件的自动化量产成为可能。
根据本实用新型的优选的实施方式,所述矩阵式排布叠片组件为2X2矩阵形式排布,矩阵中的四个元素分别为第一区域、第二区域、第三区域和第四区域,所述第一区域中的电池串的负极作为整个叠片组件的负极,第一区域中的电池串的正极与所述第二区域中的电池串的负极连通,第二区域中的电池串的正极与所述第四区域中的电池串的负极连通,第四区域中的电池串的正极与所述第三区域中的电池串的负极连通,第三区域中的电池串的正极为整个叠片组件的正极。在此通过将叠片组件划分成四个区域,能够更好地防止组件的热斑效应。在此,使得每个区域内电池串的整体电压为整个叠片组件电压的四分之一,从而大大降低了热斑的风险。
根据本实用新型的优选的实施方式,“Z”型弯折结构汇流条中的第三焊接带比第一焊接带和/或第二焊接带更长。
根据本实用新型的优选的实施方式,第三焊接带跨接并联电池串中的相邻两个电池串之间的间隙并延伸至相邻电池串上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





