[实用新型]叠片组件连接结构及叠片组件有效
| 申请号: | 201720961577.8 | 申请日: | 2017-08-03 |
| 公开(公告)号: | CN207009444U | 公开(公告)日: | 2018-02-13 |
| 发明(设计)人: | 马茜;张峥嵘;丁二亮;尹丙伟 | 申请(专利权)人: | 成都晔凡科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/05;H01L31/044 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 刘迎春,王楠 |
| 地址: | 610041 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 组件 连接 结构 | ||
1.一种叠片组件连接结构,其特征在于,所述叠片组件为矩阵式排布叠片组件,并且矩阵的列元素之间通过具有用于连接旁路二极管的引出线的“Z”型弯折结构汇流条连接,在所述叠片组件的正负极和用于连接旁路二极管的引出线之间连接有多个旁路二极管。
2.根据权利要求1所述的叠片组件连接结构,其特征在于,所述“Z”型弯折结构汇流条包括:第一焊接带(111);通过“Z”型条的上端侧(101)连接到第一焊接带(111)的一侧的第二焊接带(122),且第二焊接带(122)连接在“Z”型条的下端侧(102);以及在第一焊接带(111)的另一侧通过横条连接到第一焊接带的第三焊接带(100),所述第三焊接带用于连接旁路二极管的引出线,第一焊接带(111)焊接到矩阵的相邻两个列元素的上一个列元素,第二焊接带(122)焊接到矩阵的相邻两个列元素的下一个列元素。
3.根据权利要求1或2所述的叠片组件连接结构,其特征在于,所述矩阵式排布叠片组件的每个矩阵元素代表一个区域,每个区域内包含多个并联电池串。
4.根据权利要求3所述的叠片组件连接结构,其特征在于,所述矩阵式排布叠片组件为2X2矩阵形式排布,矩阵中的四个元素分别为第一区域(11)、第二区域(22)、第三区域(33)和第四区域(44),所述第一区域(11)中的电池串的负极作为整个叠片组件的负极,第一区域(11)中的电池串的正极与所述第二区域(22)中的电池串的负极连通,第二区域(22)中的电池串的正极与所述第四区域(44)中的电池串的负极连通,第四区域(44)中的电池串的正极与所述第三区域(33)中的电池串的负极连通,第三区域(33)中的电池串的正极为整个叠片组件的正极。
5.根据权利要求3所述的叠片组件连接结构,其特征在于,并联电池串之间保有间隙。
6.根据权利要求5所述的叠片组件连接结构,其特征在于,“Z”型弯折结构汇流条中的第三焊接带(100)比第一焊接带(111)和/或第二焊接带(122)更长。
7.根据权利要求6所述的叠片组件连接结构,其特征在于,第三焊接带(100)跨过并联电池串中的相邻两个电池串(11A、11B)之间的间隙并延伸至相邻电池串(11B)上。
8.根据权利要求4所述的叠片组件连接结构,其特征在于,所述矩阵式排布叠片组件包括连接在该叠片组件的正负极和用于连接旁路二极管的引出线之间的四个旁路二极管(D)。
9.根据权利要求8所述的叠片组件连接结构,其特征在于,旁路二极管(D)包括:
第一旁路二极管(D1),其与所述第一区域(11)中的电池串并联,其中,第一旁路二极管(D1)的正极与第一区域(11)的电池串的负极相连,且第一旁路二极管(D1)的负极与第一区域(11)的电池串的正极相连;
第二旁路二极管(D2),其与所述第二区域(22)中的电池串并联,其中,第二旁路二极管(D2)的正极与第二区域(22)的电池串的负极相连,且第二旁路二极管(D2)的负极与第二区域(22)的电池串的正极相连;
第三旁路二极管(D3),其与所述第三区域(33)中的电池串并联,其中,第三旁路二极管(D3)的正极与第三区域(33)的电池串的负极相连,且第三旁路二极管(D3)的负极与第三区域(33)的电池串的正极相连;
第四旁路二极管(D4),其与所述第四区域(44)中的电池串并联,其中,第四旁路二极管(D4)的正极与第四区域(44)的电池串的负极相连,第四旁路二极管(D4)的负极与第四区域(44)的电池串的正极相连。
10.根据权利要求9所述的叠片组件连接结构,其特征在于,在所述第一区域(11)与所述第二区域(22)的连接处以及在所述第三区域(33)与所述第四区域(44)的连接处均留有间隙。
11.根据权利要求1或2所述的叠片组件连接结构,其特征在于,在叠片组件的背面设置有一个接线盒(1),所有旁路二极管设置在所述接线盒中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





